| 講演名 | 2006-05-19 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) 則竹 陽介, 山田 巧, 田渕 雅夫, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | 本研究では非晶質Asマスクを用いて化合物半導体におけるヘテロ/量子構造デバイスの作製・集積を可能にする新しい真空一貫形成プロセスの確立を目的とした.具体的には,1)GaAs層上にマスクとして非晶質As膜を堆積し,電子線描画によってパターン形成を行い,2)マスク上に金属Inを堆積後,加熱によってGaAs中へのInの拡散とAs膜の昇華に伴うInのリフトオフを行う.このプロセスによってGaAs表面にパターンを持ったGaInAs層を形成することができる.本報告では,このプロセスに適した非晶質As膜の作製,電子線描画によるパターン形成,Inの拡散と非晶質Asマスクによるリフトオフの可能性について述べる. |
| 抄録(英) | To form patterned GaInAs/GaAs hetero-structures, we propose a new formation process using amorphous As as a mask. The process consists of five stages. 1) GaAs layer is grown on GaAs substrate at a lower temperature about 480℃. The low-temperature-grown layer enhances In diffusion on the 5th stage. 2) Amorphous As layer is deposited on the GaAs layer as a mask layer. 3) Designed patterns are drawn on the amorphous As mask using electron beam (EB) lithography. 4) Metallic In is deposited on the patterned amorphous As mask. 5) The sample is annealed for two purposes: one is to re-evaporate the amorphous As mask with metallic In on it and the other is to diffuse In into the GaAs layer. Then, the patterned GaInAs/GaAs hetero-structures are fabricated. In the process, the advantage to use the amorphous As mask is two-fold, i.e., the mask is easily deposited in normal MBE chamber and is removed by only heating it at an appropriate temperature (300～350℃), all in situ. |
| キーワード(和) | 非晶質As / 真空一貫プロセス / ヘテロ構造 / 分子線エピタキシー / GaInAs/GaAs |
| キーワード(英) | amorphous arsenic / UHV process / hetero-structure / molecular beam epitaxy / GaInAs/GaAs |
| 資料番号 | ED2006-35,CPM2006-22,SDM2006-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of patterned GaInAs/GaAs hetero-structure using amorphous arsenic mask |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非晶質As / amorphous arsenic |
| キーワード(2)（和/英） | 真空一貫プロセス / UHV process |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ構造 / hetero-structure |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / molecular beam epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | GaInAs/GaAs / GaInAs/GaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 則竹 陽介 / Yosuke NORITAKE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山田 巧 / Takumi YAMADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田渕 雅夫 / Masao TABUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Venture Business Laboratory, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Yoshikazu TAKEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科:名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Graduate School of Engineering, Nagoya University:Venture Business Laboratory, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2006-05-19 |
| 資料番号 | ED2006-35,CPM2006-22,SDM2006-35 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |