講演名 | 2006-05-19 GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) 宇治原 徹, 陳 博, 安井 健一, 酒井 良介, 山本 将博, 中西 彊, 竹田 美和, |
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抄録(和) | 我々は、これまでにGaAs/GaAsP歪み超格子構造によりスピン偏極電子源を作製し、世界最高となる92%の偏極度を実現してきた。しかし、量子効率については0.5%と十分ではなかった。本研究では、グレーディッドバッファ層と歪み補償構造の採用により、GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の改善を行うことで、量子効率の改善を目指した。これらの構造を採用することで、ミスフィットに起因する欠陥が減少し、また、超格子構造の周期性も改善された。その結果、量子効率は最高で5.2%へ大幅に向上したが、逆に偏極度は極端に減少した。これに対しては、超格子構造の層厚を大きくすることで、ある程度偏極度が改善された。 |
抄録(英) | In the previous study, we had successfully fabricated the GaAs/GaAsP superlattice spin-polarized electron source with the highest polarization of 92% in the world. However, the quantum efficiency was only 0.5%. In this study, we tried to increase the quantum efficiency by the improvement of crystal quality. First, use of a composition-graded buffer structure decreased defect density due to lattice misfit. Next, using a strain compensated structure, the crystal quality and the periodicity of the superlattice were improved. As a result, the quantum efficiency remarkably increased to 5.2%. However, the strain compensated structure unfortunately degraded the polarization. Finally, the increase of the layer thickness recovered the polarization. |
キーワード(和) | 量子効率 / ミニバンド構造 / 歪み補償構造 / グレーディッドバッファ層 / MOCVD |
キーワード(英) | Quantum efficiency / Miniband structure / Strain compensated structure / Graded buffer structure / MOCVD |
資料番号 | ED2006-34,CPM2006-21,SDM2006-34 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Performance improvement of spin-polarized electron source based on high quality GaAs/GaAsP strain superlattice structure |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 量子効率 / Quantum efficiency |
キーワード(2)(和/英) | ミニバンド構造 / Miniband structure |
キーワード(3)(和/英) | 歪み補償構造 / Strain compensated structure |
キーワード(4)(和/英) | グレーディッドバッファ層 / Graded buffer structure |
キーワード(5)(和/英) | MOCVD / MOCVD |
第 1 著者 氏名(和/英) | 宇治原 徹 / Toru Ujihara |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 陳 博 / Bo Chen |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 安井 健一 / Kenichi Yasui |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋大学大学院理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 酒井 良介 / Ryosuke Sakai |
第 4 著者 所属(和/英) | 名古屋大学大学院理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 山本 将博 / Masahiro Yamamoto |
第 5 著者 所属(和/英) | 名古屋大学大学院理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 中西 彊 / Tsutomu Nakanishi |
第 6 著者 所属(和/英) | 名古屋大学大学院理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 7 著者 氏名(和/英) | 竹田 美和 / Yoshikazu Takeda |
第 7 著者 所属(和/英) | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
発表年月日 | 2006-05-19 |
資料番号 | ED2006-34,CPM2006-21,SDM2006-34 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 46 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |