講演名 2006-05-19
GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
宇治原 徹, 陳 博, 安井 健一, 酒井 良介, 山本 将博, 中西 彊, 竹田 美和,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 我々は、これまでにGaAs/GaAsP歪み超格子構造によりスピン偏極電子源を作製し、世界最高となる92%の偏極度を実現してきた。しかし、量子効率については0.5%と十分ではなかった。本研究では、グレーディッドバッファ層と歪み補償構造の採用により、GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の改善を行うことで、量子効率の改善を目指した。これらの構造を採用することで、ミスフィットに起因する欠陥が減少し、また、超格子構造の周期性も改善された。その結果、量子効率は最高で5.2%へ大幅に向上したが、逆に偏極度は極端に減少した。これに対しては、超格子構造の層厚を大きくすることで、ある程度偏極度が改善された。
抄録(英) In the previous study, we had successfully fabricated the GaAs/GaAsP superlattice spin-polarized electron source with the highest polarization of 92% in the world. However, the quantum efficiency was only 0.5%. In this study, we tried to increase the quantum efficiency by the improvement of crystal quality. First, use of a composition-graded buffer structure decreased defect density due to lattice misfit. Next, using a strain compensated structure, the crystal quality and the periodicity of the superlattice were improved. As a result, the quantum efficiency remarkably increased to 5.2%. However, the strain compensated structure unfortunately degraded the polarization. Finally, the increase of the layer thickness recovered the polarization.
キーワード(和) 量子効率 / ミニバンド構造 / 歪み補償構造 / グレーディッドバッファ層 / MOCVD
キーワード(英) Quantum efficiency / Miniband structure / Strain compensated structure / Graded buffer structure / MOCVD
資料番号 ED2006-34,CPM2006-21,SDM2006-34
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2006/5/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Performance improvement of spin-polarized electron source based on high quality GaAs/GaAsP strain superlattice structure
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 量子効率 / Quantum efficiency
キーワード(2)(和/英) ミニバンド構造 / Miniband structure
キーワード(3)(和/英) 歪み補償構造 / Strain compensated structure
キーワード(4)(和/英) グレーディッドバッファ層 / Graded buffer structure
キーワード(5)(和/英) MOCVD / MOCVD
第 1 著者 氏名(和/英) 宇治原 徹 / Toru Ujihara
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 2 著者 氏名(和/英) 陳 博 / Bo Chen
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 3 著者 氏名(和/英) 安井 健一 / Kenichi Yasui
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科
Graduate School of Science, Nagoya University
第 4 著者 氏名(和/英) 酒井 良介 / Ryosuke Sakai
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科
Graduate School of Science, Nagoya University
第 5 著者 氏名(和/英) 山本 将博 / Masahiro Yamamoto
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科
Graduate School of Science, Nagoya University
第 6 著者 氏名(和/英) 中西 彊 / Tsutomu Nakanishi
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科
Graduate School of Science, Nagoya University
第 7 著者 氏名(和/英) 竹田 美和 / Yoshikazu Takeda
第 7 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
発表年月日 2006-05-19
資料番号 ED2006-34,CPM2006-21,SDM2006-34
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 46
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日