| 講演名 | 2006-05-19 Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) 若原 昭浩, 古川 雄三, 佐藤 淳, 島田 英里, 箕原 大介, 米津 宏雄, |
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| 抄録(和) | Si-LSIと発光・受光素子を融合した光電子集積回路実現のため,Siと格子整合するIII-V-N混晶層の適用による格子不整合転位の解消に加えて,III-V-N混晶層の価電子制御と,点欠陥の低減が必須である。本研究では,GaPNにSおよびMgを添加する事で,n型およびp型の伝導度制御を行い,その電気的特性を調べた。移動度の温度依存性を検討した結果,n-型GaPNでは,室温付近に於いてもイオン化不純物散乱が支配的であるのに対し,p型GaPNではGaPと同様に低温ではイオン化不純物散乱,室温付近ではフォノン散乱が支配的であることが分かった。また,光伝導度の過渡応答特性より,p型GaPNにおいても,時定数の長い欠陥準位が存在していることが分かった。 |
| 抄録(英) | In order to realize an optoelectronic integrated circuits, composed of Si-LSIs and optical devices, realization of dislocation free structure by means of III-V-N lattice matched to Si, conductivity control, and reduction of point defects are necessary, n-type and p-type GaPN could be obtained by using S and Mg doping, respectively. Temperature dependence of Hall mobility revealed that ionized impurity scattering was dominant in n-type GaPN even at room temperature, while phonon scattering was dominant at high temperature in p-type GaPN. Time dependent photoconductivity measurement showed long decay time suggesting presence of deep levels. |
| キーワード(和) | GaPN / 不純物添加 / MBE / 電気的特性 / キャリア散乱機構 |
| キーワード(英) | GaPN / impurity doping / MBE / electrical properties / carrier scattering mechanism |
| 資料番号 | ED2006-31,CPM2006-18,SDM2006-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of GaPN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaPN / GaPN |
| キーワード(2)（和/英） | 不純物添加 / impurity doping |
| キーワード(3)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(4)（和/英） | 電気的特性 / electrical properties |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア散乱機構 / carrier scattering mechanism |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古川 雄三 / Yuzo FURUKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 淳 / Atsushi SATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 島田 英里 / Eri SHIMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 箕原 大介 / Daisuke MINOHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 米津 宏雄 / Hiroo YONEZU |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2006-05-19 |
| 資料番号 | ED2006-31,CPM2006-18,SDM2006-31 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |