| 講演名 | 2006-05-19 m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) 永井 哲也, 川島 毅士, 仲野 靖孝, 井村 将隆, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 高輝度発光ダイオード実現のために、ピエゾ分極の影響を抑制できる無極性面の結晶成長が行なわれている。III族窒化物半導体の発光デバイスにおいて、転位または転位付近には非発光再結合準位が形成されるため、発光効率に大きな影響を与える。本研究では無極性面であるm面SiC上に成長したIII族窒化物半導体結晶の転位や積層欠陥などの微細構造観察を行った。 |
| 抄録(英) | In order to reduce internal electric field caused by the piezoelectricity, nitride-based LEDs are fabricated on non-polar plane substrates. Reduction of defects such as dislocations or stacking faults is essential for the realization of the highly efficient LEDs. In this report, microstructure of group-III nitride layers grown on 4H-SiC substrates are studied by TEM. |
| キーワード(和) | 無極性III族窒化物半導体 / m面SiC / 透過型電子顕微鏡(TEM) |
| キーワード(英) | non-polar nitrides / m-plane SiC / transmission electron microscope (TEM) |
| 資料番号 | ED2006-29,CPM2006-16,SDM2006-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microstructure of group-III nitride semiconductors grown on m-plane SiC |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 無極性III族窒化物半導体 / non-polar nitrides |
| キーワード(2)（和/英） | m面SiC / m-plane SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 透過型電子顕微鏡(TEM) / transmission electron microscope (TEM) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永井 哲也 / Tetsuya Nagai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^ |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川島 毅士 / Takeshi Kawashima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^ |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 仲野 靖孝 / Kiyotaka Nakano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^ |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井村 将隆 / Masataka Imura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^ |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^ |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^ |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi Amano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^ |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^ |
| 発表年月日 | 2006-05-19 |
| 資料番号 | ED2006-29,CPM2006-16,SDM2006-29 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |