講演名 | 2006-05-18 Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) 石井 丈晴, 松岡 史晃, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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抄録(和) | 本研究では微細加工技術を用いて,赤外領域での選択的な波長制御が可能な二次元フォトニック結晶の作製をSi表面に試みた.その結果,約11μm付近で選択的な波長制御が可能なフォトニック結晶の作製に成功した.また,さらにHF:HNO_3:H_2Oの混合液でエッチングを行うことで最大放射率79%のその選択的な波長を得た.金薄膜の堆積法の検討を行うことによって,最大放射率とその選択性は側面への堆積のされ方に関係していることが明らかになった. |
抄録(英) | In this study, 2D Photonic Crystals (PCs) were micro-patterned on Si substrate. As a result, selective wavelength control of about 11μm was obtained. Additionally, We obtained maximum emissivity of 79% by etching with mixed liquid of HF:HNO_3:H_2O. By investigation of Au deposition effect, it was found that the emissivity and wavelength selectivity depend on Au deposition on the side wall. |
キーワード(和) | Si / フォトニック結晶 / 赤外領域 / 微細加工 |
キーワード(英) | Si / Photonic Crystal / infrared region / micro-patterned |
資料番号 | ED2006-28,CPM2006-15,SDM2006-28 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Fabrication and Characterization of infrared Photonic Crystal structure on Micro-patterned Si substrate |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Si / Si |
キーワード(2)(和/英) | フォトニック結晶 / Photonic Crystal |
キーワード(3)(和/英) | 赤外領域 / infrared region |
キーワード(4)(和/英) | 微細加工 / micro-patterned |
第 1 著者 氏名(和/英) | 石井 丈晴 / Takeharu Ishii |
第 1 著者 所属(和/英) | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Faculty of Eng., Mie University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 松岡 史晃 / Fumiaki Matsuoka |
第 2 著者 所属(和/英) | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Faculty of Eng., Mie University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
第 3 著者 所属(和/英) | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Faculty of Eng., Mie University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
第 4 著者 所属(和/英) | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Faculty of Eng., Mie University |
発表年月日 | 2006-05-18 |
資料番号 | ED2006-28,CPM2006-15,SDM2006-28 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 46 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |