講演名 2006-05-18
熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
橋本 佳孝, 章 国強, 中村 篤志, 田中 昭, 天明 二郎,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) SiC熱分解法を用いて、6H-SiC(000-1)基板を真空中で高温加熱することにより、基板表面上に自己組織化によりカーボンナノチューブを作製した。同真空度の元、基板表面上のガス交換を抑制し、その効果について検討を行った。光学顕微鏡およびラマン測定により、ガス交換を抑制することによって、反応の均一性が妨げらることを確認した。TEM観察による抑制したものは、カーボンナノチューブが生成されていないことが分かった。つぎに、H_2ガスを注入することによる還元効果の検討を行った。TEM観察により、水素を注入することで、成長層の短縮、カーボンナノチューブの直径の縮小、先端の破壊が確認された。
抄録(英) Self-assembled Carbon nanotube was prepared on 6H-SiC substrates at high temperature in vacuum by thermal decomposition method. The effect of controlling the gas exchange was examined in the same vacuum level. It was confirmed that uniformity of the reaction was disturbed on controlling the gas exchange by optical microscope and raman spectroscope. It find that Carbon nanotube wasn't formed on controlling the gas exchange by TEM. Then, the effect of reduction on flowed Hydrogen was examined. It was confirmed that the growth layer was narrowed, diameter of Carbon nanotube was decreased and cap of Carbon nanotube was decomposed on flowed Hydrogen by TEM.
キーワード(和) SiC熱分解法 / SiC / カーボンナノチューブ / 自己組織化
キーワード(英) Thermal Decomposition on SiC / SiC / Carbon nanotube / Self- assembling
資料番号 ED2006-26,CPM2006-13,SDM2006-26
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2006/5/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Contorol of carbon-nano structure by thermal decomposition on SiC
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SiC熱分解法 / Thermal Decomposition on SiC
キーワード(2)(和/英) SiC / SiC
キーワード(3)(和/英) カーボンナノチューブ / Carbon nanotube
キーワード(4)(和/英) 自己組織化 / Self- assembling
第 1 著者 氏名(和/英) 橋本 佳孝 / Yoshitaka HASHIMOTO
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 章 国強 / Guogiang ZHANG
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) 中村 篤志 / Atsushi NAKAMURA
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 4 著者 氏名(和/英) 田中 昭 / Akira TANAKA
第 4 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 5 著者 氏名(和/英) 天明 二郎 / Jiro TEMMYO
第 5 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
発表年月日 2006-05-18
資料番号 ED2006-26,CPM2006-13,SDM2006-26
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 46
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日