| 講演名 | 2006-05-18 RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_<1-x>CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) 大橋 俊哉, 石原 純二, 中村 篤志, 青木 徹, 天明 二郎, |
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| 抄録(和) | 酸化亜鉛ZnO(ウルツ鉱構造)はバンドギャップ3.3eVをもつワイドギャップ半導体であり、60meVの励起子結合エネルギーを持つため室温において高効率な発光が期待できる近紫外発光材料である。また、酸化カドミウムCdO(岩塩構造)と混晶化することで可視領域での発光が実現できる。そこで今回、非平衡度の高いRPE-MOCVD法を用いて成長温度、II族原料流量比、RF強度に注目しZn_<1-x>Cd_xO薄膜におけるCd組成xの制御を行い、その光学的特性と物理定数を評価した。ウルツ鉱構造x≒0～0.7においてEg=3.3～1.9eVを確認した。 |
| 抄録(英) | ZnO is wide-gap semiconductor. The optical bandgap of ZnO films is 3.3eV and crystal structure is wurzite-type. Because exitonic binding energy of ZnO is 60meV, an efficient exciton emission from ZnO at room temperature is expected. On the other hand, CdO has rock-salt-type structure. Cd^<2+>(0.74Å) and Zn^<2+>(0.60Å) have near radii. So, ternary alloy can be realization. Zn_<1-x>Cd_xO films was grown by RPE-MOCVD. Growth temperature were changed from 250 to 450℃, RF power were changed from 0 to 90W. The content ratio of Zn_<1-x>Cd_xO films was controlled by changing the molar ratio of DEZn to DMCd. The optical characteristic and physical constant of Zn_<1-x>Cd_xO films were investigated. The optical bandgap of Zn_<1-x>Cd_xO films keeping wurzite-type was controlled between 3.3eV and 1.8eV at room temperature. |
| キーワード(和) | リモートプラズマ励起MOCVD法 / ZnO Zn_<1-x>CdxO / 成長温度 / II族原料流量比 / RF強度 |
| キーワード(英) | remote plasma-enhanced MOCVD / ZnO / Zn_<1-x>CdxO / growth temperature / DMCd/(DEZn+DMCd) / RF power |
| 資料番号 | ED2006-24,CPM2006-11,SDM2006-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_<1-x>CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | RPE-MOCVD-growth of Zn_<1-x>CdxO film for visible emission region |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リモートプラズマ励起MOCVD法 / remote plasma-enhanced MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | ZnO Zn_<1-x>CdxO / ZnO |
| キーワード(3)（和/英） | 成長温度 / Zn_<1-x>CdxO |
| キーワード(4)（和/英） | II族原料流量比 / growth temperature |
| キーワード(5)（和/英） | RF強度 / DMCd/(DEZn+DMCd) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大橋 俊哉 / Toshiya OHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石原 純二 / Junji ISHIHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / Atsushi NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru AOKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro TEMMYO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2006-05-18 |
| 資料番号 | ED2006-24,CPM2006-11,SDM2006-24 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |