| 講演名 | 2006-05-19 Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Current oscillations in the Fowler-Nordheim tunneling regime are investigated for Si/SiO_2/Si structures obtained by a wafer bonding technique. These oscillations arise from the interference in the conduction band of SiO_2 of electron waves after reflection at the SiO_2/Si collecting interface. The temperature dependence of the amplitude of these oscillations gives an insight on the behavior of scattering mechanisms in the amorphous thermally grown SiO_2. This fact has been confirmed by the results obtained for metal-oxide-semiconductor reference structures. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Fowler-Nordheim Current Oscillations (FNCOs) / Fowler-Nordheim Tunneling (FNT) / Scattering |
| 資料番号 | ED2006-40,CPM2006-27,SDM2006-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Fowler-Nordheim Current Oscillations (FNCOs) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Daniel MORARU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2006-05-19 |
| 資料番号 | ED2006-40,CPM2006-27,SDM2006-40 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 45 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |