| 講演名 | 2006-05-19 Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) 梅野 和行, 金 聖晩, 古川 雄三, 米津 宏雄, 若原 昭浩, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし,直接遷移型InGaPN/GaPN量子井戸(QW)構造をRF-MBE法により500℃で成長した.Band Anti-Crossingモデルを仮定してInGaPNのバンドギャップを求め,InGaPN/GaPN歪QW構造のバンドアラインメントを推定した.その結果,1～2%のN組成を有するInGaPN/GaPN QW構造において,価電子帯バンドオフセットは200～300meV得られるが,伝導帯バンドオフセットはほとんど得られないことが明らかになった.300meV以上の伝導帯バンドオフセットを得るためには,井戸層に4%以上のNを必要とすることを示した. |
| 抄録(英) | Direct-transition InGaPN/GaPN quntum well (QW) structures were grown on GaP substrates by RF-MBE at 500℃ for application of light emitting devices in monolithic optoelectronic integrated circuits (OEICs) on Si substrates. The bandgap of InGaPN alloys was calculated by the Band Anti-Crossing (BAG) model. The band alignments of the InGaPN/GaPN strained QW structures were estimated. As a result, the valence band offsets of the InGaPN/GaPN QWs with N concentration of 1～2% were 200～300meV, while conduction band offsets were very small. It was shown that an InGaPN quantum well layer needed an N content more than ～4% to obtain the conduction band offset above 300meV. |
| キーワード(和) | Si / 光電子集積回路 / InGaPN / GaPN / GaAsPN / III-V-N / 窒化物 / 光インターコネクション |
| キーワード(英) | Si / OEIC / InGaPN / GaPN / GaAsPN / III-V-N / dilute nitride / Optical interconnection |
| 資料番号 | ED2006-32,CPM2006-19,SDM2006-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaPN/GaPN Quantum Well Structures for Si/III-V-N Optoelectronic Integrated Circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(3)（和/英） | InGaPN / InGaPN |
| キーワード(4)（和/英） | GaPN / GaPN |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsPN / GaAsPN |
| キーワード(6)（和/英） | III-V-N / III-V-N |
| キーワード(7)（和/英） | 窒化物 / dilute nitride |
| キーワード(8)（和/英） | 光インターコネクション / Optical interconnection |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梅野 和行 / Kazuyuki UMENO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金 聖晩 / Sung Man KIM |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古川 雄三 / Yuzo FURUKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 米津 宏雄 / Hiroo YONEZU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2006-05-19 |
| 資料番号 | ED2006-32,CPM2006-19,SDM2006-32 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 45 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |