講演名 2006-05-18
Influence of Annealing Conditions on the Sensing Properties of Oxygen Gas Sensor with β-Ga_2O_3 Films Deposited by CSD Method for High Temperatures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
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抄録(和)
抄録(英) Gallium oxide oxygen gas sensors have been investigated at the high temperature of 1000℃. An attention was paid for the influence of annealing conditions on the oxygen sensing mechanism of β-Ga_2O_3 thin film. In order to analyze the characteristics of the sensors (stability, sensitivity, response time) we have prepared β-Ga_2O_3 thin film using chemical solution deposition method (CSD). From AFM images and XRD patterns we have found out that the temperature and the time scale of annealing process influence the physical properties of β-Ga_2O_3 thin films. Gallium oxide prepared using CSD method makes it possible to detect oxygen in the gas stream mixture at high temperatures over 1000℃. It was found that the response time is in the range of seconds at 1000℃.
キーワード(和)
キーワード(英) gallium oxide / CSD-method / annealing / oxygen sensors / high temperature
資料番号 ED2006-22,CPM2006-9,SDM2006-22
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2006/5/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 ENG
タイトル(和) Influence of Annealing Conditions on the Sensing Properties of Oxygen Gas Sensor with β-Ga_2O_3 Films Deposited by CSD Method for High Temperatures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Influence of Annealing Conditions on the Sensing Properties of Oxygen Gas Sensor with β-Ga_2O_3 Films Deposited by CSD Method for High Temperatures
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / gallium oxide
第 1 著者 氏名(和/英) / Marilena Bartic
第 1 著者 所属(和/英)
GSEST of Shizuoka University
発表年月日 2006-05-18
資料番号 ED2006-22,CPM2006-9,SDM2006-22
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 45
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日