講演名 2006-04-21
4インチ・ウエハプロセスによるDVD記録装置用高出力レーザ(光部品の実装・信頼性,一般)
住友 弘幸, 梶山 訓, 小栗 裕之, 坂下 武, 堂本 新一, 中尾 健誠, 山本 達, 駒谷 務, 川久保 弘史, 小野 将徳, 前島 俊昭, 和泉 茂一,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 今回我々は,4インチウエハ量産プロセスによる650nm帯単一横モード高出力レーザの作製に世界で初めて成功した.4インチ化において,4インチ導電性GaAs基板の結晶品質がレーザ特性に大きく影響することを確認した.また,電子デバイスで実績のあるプロセスを適用することにより,高精度かつ面内高均一なウエハプロセスを確立し,高いスループットでの高出力且つ高信頼度なレーザの製造を実現した.作製したレーザ素子は,4インチウエハ面内での分布(±σ)はしきい値Ithで±2.3%,効率ηで±1.1%に抑えられている.350mW以上の高光出力は,600mA以下の駆動電流値で実現されており,80℃の高温においてもキンクフリーで良好な光出力特性を示している.また,リッジ形状の最適化および素子抵抗の低減によって,350mWにおける駆動電圧を3.0V程度に抑え,低消費電力なレーザを実現した.本レーザは,2層DVD±R/RWディスクへの8倍速以上の記録型DVD装置に適用可能と考えられる.
抄録(英) We have successfully fabricated 650-nm band single lateral-mode high-power laser diodes (LDs) by using the 4-inch fullwafer process technology. We realized the high throughput LD production with high-power and reliable performances. The LD characteristics show excellent uniformity over a 88mm diameter area of the 4 inch wafer, e.g. σ=±2.3% for Ith, σ=±1.1% for slope efficiency. The output power more than 350mW had been obtained with stable lateral mode operation under the operation current 600mA even at the high temperature 80℃. In addition, the operation voltage had been suppressed around 3.0V even at high power operation by optimizing the ridge formation process and reducing the series resistance. These results confer the promising way to realize the high-speed (over 8×) dual layer recordable DVD systems.
キーワード(和) 半導体レーザ / 4インチ / 高出力 / DVD / AlGaInP
キーワード(英) Laser Diode / 4-inch / High Power / DVD / AlGaInP
資料番号 R2006-5,CPM2006-5,OPE2006-5
発行日

研究会情報
研究会 OPE
開催期間 2006/4/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optoelectronics (OPE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 4インチ・ウエハプロセスによるDVD記録装置用高出力レーザ(光部品の実装・信頼性,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-Power Laser Diodes by 4-inch Full-Wafer Process Technology for DVD-R/RW
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / Laser Diode
キーワード(2)(和/英) 4インチ / 4-inch
キーワード(3)(和/英) 高出力 / High Power
キーワード(4)(和/英) DVD / DVD
キーワード(5)(和/英) AlGaInP / AlGaInP
第 1 著者 氏名(和/英) 住友 弘幸 / Hiroyuki SUMITOMO
第 1 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 2 著者 氏名(和/英) 梶山 訓 / Satoshi KAJIYAMA
第 2 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 3 著者 氏名(和/英) 小栗 裕之 / Hiroyuki OGURI
第 3 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 4 著者 氏名(和/英) 坂下 武 / Takeshi SAKASHITA
第 4 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 5 著者 氏名(和/英) 堂本 新一 / Shinichi DOMOTO
第 5 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 6 著者 氏名(和/英) 中尾 健誠 / Kensei NAKAO
第 6 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 7 著者 氏名(和/英) 山本 達 / Toru YAMAMOTO
第 7 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 8 著者 氏名(和/英) 駒谷 務 / Tutomu KOMATANI
第 8 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 9 著者 氏名(和/英) 川久保 弘史 / Hiroshi KAWAKUBO
第 9 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 10 著者 氏名(和/英) 小野 将徳 / Masanori ONO
第 10 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 11 著者 氏名(和/英) 前島 俊昭 / Toshiaki MAEJIMA
第 11 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
第 12 著者 氏名(和/英) 和泉 茂一 / Shigekazu IZUMI
第 12 著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社
Eudyna Devices Inc.
発表年月日 2006-04-21
資料番号 R2006-5,CPM2006-5,OPE2006-5
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 19
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日