| 講演名 | 2006/4/10 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術) 菅野 裕士, 権丈 淳, 佐道 泰造, 宮尾 正信, |
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| 抄録(和) | システムインディスプレイの実現には,ガラス上で高いキャリア移動度を有する半導体薄膜の形成が必要である.そこで本論文では,触媒金属(Ni)を用いた非晶質Si_<1-x>Ge_x(0≦x≦1)薄膜の低温(≦550℃)結晶化を検討した.その結果,成長形態はGe濃度により顕著に変化し,均一成長と樹枝状成長が発現した.また,高電界下(≧2000V/cm)で成長を誘起することにより,結晶成長の方向がほぼ完全に電界方向に整列した.これらの成果はGe濃度及び印加電界の制御により,ガラス上におけるSiGe結晶成長を高度に制御出来る可能性を示すものである. |
| 抄録(英) | Metal-induced lateral crystallization (MILC) of amorphous Si_<1-x>Ge_x (0≦x≦1) on SiO_2 has been investigated to achieve future system-in-displays. Crystal growth morphology drastically changed with Ge fraction, and their growth velocities could be enhanced by applying an electric field during annealing. In addition, the directional growth aligned to the electric field was found under extremely high electric fields (>2000V/cm). These new findings will be a powerful tool to obtain new poly-SiGe films with highly controlled crystal structures. |
| キーワード(和) | 金属誘起固相成長 / シリコンゲルマニウム(SiGe) / 薄膜トランジスタ / 低温結晶化 / 電界誘起成長 |
| キーワード(英) | metal-induced lateral crystallization / silicon germanium / thin-film transistor / low-temperature crystallization / electric-field-induced crystallization |
| 資料番号 | ED2006-2,SDM2006-2,OME2006-2 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2006/4/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Glass by Metal Catalytic Effect |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起固相成長 / metal-induced lateral crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンゲルマニウム(SiGe) / silicon germanium |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 低温結晶化 / low-temperature crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | 電界誘起成長 / electric-field-induced crystallization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菅野 裕士 / Hiroshi KANNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 権丈 淳 / Atsushi KENJO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学 Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2006/4/10 |
| 資料番号 | ED2006-2,SDM2006-2,OME2006-2 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 7 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |