| 講演名 | 2006/4/10 イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術) 吉田 知也, 馬場 昭好, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | イオン照射による薄膜の変形現象を利用した高アスペクト比構造の作製法を提案する.イオン照射のエネルギーおよびドーズ量を変えたときの薄膜のSEM観察の結果,低エネルギーのイオン照射を行った場合薄膜は上に曲がり,高エネルギーのイオン照射を行った場合薄膜は下に曲がることがわかった.スパッタ堆積で作製した片持ち梁構造のWSi_2膜の中央付近にイオン照射を行うと,ドーズ量があるしきい値を超えたところで,膜がほぼ垂直に立ち上がる現象を見出した.この現象を利用して,エッチバックプロセスでゲート付き電界電子放出型電子源を作製した.作製した素子の電界電子放出を確認し,単一チップの電子源から,引き出し電圧133.5Vのときに約10μAの電子放出を得た.一方,複数チップの電子源の測定結果からチップごとの放出電流バラツキが大きく,改善する必要性も明らかとなった. |
| 抄録(英) | We propose a novel technique of fabricating a high-aspect-ratio tip structure. The technique utilizes the bending of a cantilever made of a sputter deposited WSi_2 film induced by ion irradiation. We found that the standing is realized when ion energy is chosen at which the film internal stress at the medium depth of the film relaxes, while low- and high-energy irradiations simply bend up and bend down the film, respectively. We demonstrate high current field electron emission from a gated field electron emitter fabricated by using the thin-film standing technique and an etch-back technique. The emission current of 10μA was obtained from a single tip cathode at the gate voltage of 133.5 V. Need of improvement in emission current uniformity from tip to tip is however pointed out for practical application such as field emission display. |
| キーワード(和) | 電界放出型電子源 / FED / 冷陰極 / イオンビーム照射 / 応力緩和 / 薄膜 / 金属シリサイド |
| キーワード(英) | field emitter / FED / cold cathode / ion beam irradiation / stress relaxation / thin film / metal silicide |
| 資料番号 | ED2006-16,SDM2006-16,OME2006-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/4/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Gated Cold Cathode Using Ion-Beam Irradiation to Thin Film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界放出型電子源 / field emitter |
| キーワード(2)（和/英） | FED / FED |
| キーワード(3)（和/英） | 冷陰極 / cold cathode |
| キーワード(4)（和/英） | イオンビーム照射 / ion beam irradiation |
| キーワード(5)（和/英） | 応力緩和 / stress relaxation |
| キーワード(6)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(7)（和/英） | 金属シリサイド / metal silicide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 知也 / Tomoya YOSHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学大学院情報工学研究科:(現)九州大学大学院システム情報科学研究院 Graduate School of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 馬場 昭好 / Akiyoshi BABA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学情報工学部:(現)九州大学大学院システム情報科学研究院 Faculty of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006/4/10 |
| 資料番号 | ED2006-16,SDM2006-16,OME2006-16 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 5 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |