| 講演名 | 2006/3/7 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ) 吉川 将寿, 與田 博明, 甲斐 正, 浅尾 吉昭, 池川 純夫, 土田 賢二, 波田 博光, 田原 修一, |
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| 抄録(和) | 0.13μm CMOS回路上に形成された1M-MTJ MRAM (1Mega-Magnetoresistive Tunneling Junction Magnetoresistive Random Access Memory)において、99.9998%以上のビット歩留まりを得ることに成功した。そのキー技術として新規MTJ形状を用いたアステロイド曲線制御技術と精密MTJエッチング技術を開発し、反転磁界ばらつき低減と書き込みマージンの拡大を実現した。また、書き込み電流を約40%低減するヨーク配線技術および8F^2までのセル微細化を可能にするセルフアライメントMTJ加工技術も開発した。 |
| 抄録(英) | Excellent bit yields of more than 99.9998% were successfully obtained for 1M-MTJ MRAM (1Mega-Magnetoresistive Tunneling Junction Magnetoresistive Random Access Memory), which was integrated on 0.13μm CMOS circuits. Expanding of writing margin and reduction of switching field distribution were realized by a novel MTJ shape and a precisely controlled MTJ etching technique. Additionally, a yoke wire reducing a writing current by 40% and a self-aligned MTJ fabrication process for shrinkage of a cell size to 8F^2 were developed. |
| キーワード(和) | MRAM / MTJ / MTJ形状 / ヨーク配線 / MTJエッチング / 漏洩磁界 / 反転磁界ばらつき |
| キーワード(英) | MRAM / MTJ / MTJ shape / Yoke wire / MTJ etching / Stray field / Switching field distribution |
| 資料番号 | SDM2005-264 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/3/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of high-density MRAM technologies : Expanding writing margin realized by a novel MTJ shape and a precisely controlled MTJ etching |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | MTJ形状 / MTJ shape |
| キーワード(4)（和/英） | ヨーク配線 / Yoke wire |
| キーワード(5)（和/英） | MTJエッチング / MTJ etching |
| キーワード(6)（和/英） | 漏洩磁界 / Stray field |
| キーワード(7)（和/英） | 反転磁界ばらつき / Switching field distribution |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉川 将寿 / Masatoshi YOSHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 與田 博明 / Hiroaki YODA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 甲斐 正 / Tadashi KAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浅尾 吉昭 / Yoshiaki ASAO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 池川 純夫 / Sumio IKEGAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 土田 賢二 / Kenji TSUCHIDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 波田 博光 / Hiromitsu HADA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電気(株) システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 田原 修一 / Shuichi TAHARA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電気(株) システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2006/3/7 |
| 資料番号 | SDM2005-264 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 654 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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