| 講演名 | 2006/3/7 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ) 佐藤 嘉洋, 矢垣 真也, 吉田 親子, 能代 英之, 佐藤 雅重, 青木 正樹, 杉山 芳弘, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 高集積MRAM用のトンネル磁気抵抗素子(MTJ)として、低い反転磁界と高いディスターブ耐性を同時に満たすアステロイド特性と、最小セルサイズ8F^2を実現する砂時計型MTJを提案する。Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG)シミュレーションによると、この砂時計型MTJは反転磁界が低減するように磁化反転時のスピン分布状態が動く特徴であり、従来のMTJ形状の磁化反転過程とは異なる。今回我々は260×420nm^2サイズの砂時計型MTJと200×400nm^2サイズの楕円MTJを試作した。LLGシミュレーションの結果と同様に、理想的なアステロイド曲線と楕円MTJよりも50%低い反転磁界を実現した。 |
| 抄録(英) | We propose a novel magnetic tunneling junction (MTJ) shape, called the "sandglass" (or "hourglass"), that has both an excellent asteroid curve for preventing write disturbance and a minimum memory of 8F^2, where F is the feature size. A unique magnetic switching mechanism that works under decreasing magnetic switching field was compared with that of conventional MTJs simulated using the Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) simulator. We fabricated both a sandglass MTJ of 260×420nm^2 and a conventional elliptic MTJ of 200×400nm^2. The excellent asteroid curve of the sandglass MTJ is confirmed which exhibits both a larger write operation margin and a 50% lower switching field than those of the conventional elliptic MTJ. The sandglass MTJ cell is a promising candidate for realizing high-density MRAM. |
| キーワード(和) | MRAM / MTJ / ディスターブ / 動作マージン / 砂時計 / アステロイド |
| キーワード(英) | Magnetoresistive Random access Memory (MRAM) / Magnetic Tunneling Junction (MTJ) / disturbance / operation margin / sandglass / asteroid |
| 資料番号 | SDM2005-263 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/3/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Decrease Magnetic Switching Field Using Sandglass MTJ Shaped Cell for High-Density MRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / Magnetoresistive Random access Memory (MRAM) |
| キーワード(2)（和/英） | MTJ / Magnetic Tunneling Junction (MTJ) |
| キーワード(3)（和/英） | ディスターブ / disturbance |
| キーワード(4)（和/英） | 動作マージン / operation margin |
| キーワード(5)（和/英） | 砂時計 / sandglass |
| キーワード(6)（和/英） | アステロイド / asteroid |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 嘉洋 / Yoshihiro SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部 Silicon Device Laboratory, FUJITSU LAB. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 矢垣 真也 / Shinya YAGAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部 Silicon Device Laboratory, FUJITSU LAB. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 親子 / Chikako YOSHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部 Silicon Device Laboratory, FUJITSU LAB. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 能代 英之 / Hideyuki NOSHIRO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部 Silicon Device Laboratory, FUJITSU LAB. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 雅重 / Masashige SATO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部 Silicon Device Laboratory, FUJITSU LAB. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 青木 正樹 / Masaki AOKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部 Silicon Device Laboratory, FUJITSU LAB. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 杉山 芳弘 / Yoshihiro SUGIYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部 Silicon Device Laboratory, FUJITSU LAB. |
| 発表年月日 | 2006/3/7 |
| 資料番号 | SDM2005-263 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 654 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |