| 講演名 | 2006/3/7 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ) 阪本 利司, 伴野 直樹, 井口 憲幸, 帰山 隼一, 水野 正之, 川浦 久雄, 長谷川 剛, 寺部 一弥, 青野 正和, |
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| 抄録(和) | 固体電解質ナノスイッチは、固体電解質中での金属原子移動に基づく微細金属ブリッジのスイッチング現象を利用したスイッチであり、応用範囲の広いプログラマブルロジックを実現できる。本報告では、電流経路と制御電極を分離した3端子素子の提案と原理実証について述べる。本素子により、プログラマブルロジックに応用する際の課題であるスイッチング時の電流低減と、ブリッジを太らせることによる高EM耐性を確保できると期待される。 |
| 抄録(英) | We propose a three-terminal solid-electrolyte nanometer switch, where the control gate is separated from the current path. This novel switch resolves the issues arising from large current during switching (>1mA) in a two-terminal solid-electrolyte switch. We demonstrate that the drain current reversibly switches when a metallic bridge electrochemically forms or dissolves between the source and drain by applying gate voltage. The ON resistance is 200-300Ω and the ON/OFF current ratio is as high as 10^5. Each state is nonvolatile. |
| キーワード(和) | 固体電解質 / ナノデバイス / 電気化学反応 / 不揮発性メモリ |
| キーワード(英) | solid electrolyte / nano device / electrochemical reaction / nonvolatile memory |
| 資料番号 | SDM2005-261 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/3/7(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Three Terminal Solid-Electrolyte Nanometer Switch |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 固体電解質 / solid electrolyte |
| キーワード(2)（和/英） | ナノデバイス / nano device |
| キーワード(3)（和/英） | 電気化学反応 / electrochemical reaction |
| キーワード(4)（和/英） | 不揮発性メモリ / nonvolatile memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 阪本 利司 / Toshitsugu SAKAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC基礎・環境研究所:科学技術振興機構 Fundamental & Enviromental Research Labs., NEC Corp.:Japan Science and Technology Agency |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伴野 直樹 / Nanoki BANNO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC基礎・環境研究所:科学技術振興機構 Fundamental & Enviromental Research Labs., NEC Corp.:Japan Science and Technology Agency |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井口 憲幸 / Noriyuki IGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC基礎・環境研究所 Fundamental & Enviromental Research Labs., NEC Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 帰山 隼一 / Shunichi KAERIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Labs., NEC Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 水野 正之 / Masayuki MIZUNO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Labs., NEC Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川浦 久雄 / Hisao KAWAURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC基礎・環境研究所 Fundamental & Enviromental Research Labs., NEC Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 長谷川 剛 / Tsuyoshi HASEGAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構:科学技術振興機構 National Institute for Materials Science:Japan Science and Technology Agency |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 寺部 一弥 / Kazuya TERABE |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構:科学技術振興機構 National Institute for Materials Science:Japan Science and Technology Agency |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 青野 正和 / Masakazu AONO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構:科学技術振興機構 National Institute for Materials Science:Japan Science and Technology Agency |
| 発表年月日 | 2006/3/7 |
| 資料番号 | SDM2005-261 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 654 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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