| 講演名 | 2006/3/7 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ) 松崎 望, 黒土 健三, 松井 裕一, 外村 修, 山本 直樹, 藤崎 芳久, 北井 直樹, 竹村 理一郎, 長田 健一, 半澤 悟, 守谷 浩志, 岩崎 富生, 河原 尊之, 高浦 則克, 寺尾 元康, 松岡 正道, 茂庭 昌弘, |
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| 抄録(和) | 相変化メモリを非晶質の高抵抗状態にするリセット動作に必要な電力の低減は、相変化メモリをCMOSロジックLSIと混載する上で重要な課題である。我々は、酸素を添加したGeSbTeを用いた相変化メモリセルを試作し、プラグ径180nmのW下部電極を用いて1.5V/100μAのリセット電圧・電流を達成した。また、リセット状態を10年間保持できる温度は、無添加GeSbTeを用いた相変化メモリでは70℃であったが、酸素添加によって100℃に向上した。リセット電圧・電流の低減はGeSbTe中のGeの一部を酸化して相変化膜の抵抗を制御したこと、保持温度の向上はGeSbTeの結晶成長を抑制したことに起因すると考えられる。 |
| 抄録(英) | We demonstrated the operation of phase-change memory cells that enabled 1.5-V/100-μA programming through a tungsten-bottom-electrode contact with a diameter of 180nm. This is the lowest power ever reported. This was achieved with oxygen-doped GeSbTe, and resulted from the high electric resistance of the germanium oxides in this material. Germanium oxides were also estimated to restrain the growth of crystal in GeSbTe, and our cells maintained a 10-year thermal lifetime at 100℃. |
| キーワード(和) | 相変化メモリ / GeSbTe / 酸素添加 |
| キーワード(英) | Phase-change Memory / GeSbTe / Oxygen doping |
| 資料番号 | SDM2005-260 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/3/7(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxygen-doped GeSbTe Phase-change Memory Cells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / Phase-change Memory |
| キーワード(2)（和/英） | GeSbTe / GeSbTe |
| キーワード(3)（和/英） | 酸素添加 / Oxygen doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松崎 望 / N. Matsuzaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒土 健三 / K. Kurotsuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松井 裕一 / Y. Matsui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 外村 修 / O. Tonomura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 直樹 / N. Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 高知工科大学 総合研究所 Kochi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤崎 芳久 / Y. Fujisaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 北井 直樹 / N. Kitai |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)日立超LSIシステムズ Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 竹村 理一郎 / R. Takemura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 長田 健一 / K. Osada |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 半澤 悟 / S. Hanzawa |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 守谷 浩志 / H. Moriya |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 機械研究所 Hitachi Mechanical Engineering Research Lab., Hitachi, Ltd. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 岩崎 富生 / T. Iwasaki |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 機械研究所 Hitachi Mechanical Engineering Research Lab., Hitachi, Ltd. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 河原 尊之 / T. Kawahara |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 高浦 則克 / N. Takaura |
| 第 14 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 寺尾 元康 / M. Terao |
| 第 15 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Hitachi Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 16 著者 氏名（和/英） | 松岡 正道 / M. Matsuoka |
| 第 16 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 17 著者 氏名（和/英） | 茂庭 昌弘 / M. Moniwa |
| 第 17 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2006/3/7 |
| 資料番号 | SDM2005-260 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 654 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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