| 講演名 | 2006-03-03 SiシステムチップにおけるPA-VCO間干渉の検討(移動通信ワークショップ) 堤 恒次, 新庄 真太郎, 森 一富, 末松 憲治, |
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| 抄録(和) | PAとVCOを1チップ内に集積したSiシステムチップにおける,振幅変調時のPAとVCO間干渉について検討した. PA,VCO集積化チップの実測結果をもとに干渉パスのモデル化を行い, PA-VCO間アイソレーションに対する出力スペクトル劣イヒ量の計算を行った.また,シリコン基板厚を薄くすることによるシリコンチップ上の回路間アイソレーション改善案を提案する.電磁界シミュレーションの結果,基板厚を1/2にすることで約9dBアイソレーションが改善されることが分かった.このシミュレーション結果と上記モデルから計算した出力スペクトル劣化の改善量を実測結果と比較したところほぼ一致し,モデルの妥当性とシリコン基板を薄くすることによるアイソレーション改善の効果を確認した. |
| 抄録(英) | This paper presents analysis of amplitude modulation interference between PA and VCO in Si System Chip. Modeling of the interference path between PA and VCO is performed using the measured result of Si Chip including PA and VCO. Relation of output spectrum degradation to output power is derived from this model, and compared with measured results. Furthermore, to improve the isolation between the PA and the VCO, the back-polish technique of the silicon substrate is proposed. Electro-magnetic simulation and measurement show that this technique is effective to improve the isolation. |
| キーワード(和) | Si / MMIC / System Chip / VCO / PA / isolation |
| キーワード(英) | SiGe BiCMOS / MMIC / VCO / PA / isolation |
| 資料番号 | MW2005-182 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2006/2/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiシステムチップにおけるPA-VCO間干渉の検討(移動通信ワークショップ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interference between PA and VCO in Si System Chip |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / SiGe BiCMOS |
| キーワード(2)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(3)（和/英） | System Chip / VCO |
| キーワード(4)（和/英） | VCO / PA |
| キーワード(5)（和/英） | PA / isolation |
| キーワード(6)（和/英） | isolation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堤 恒次 / Koji TSUTSUMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新庄 真太郎 / Shintaro SHINJO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 一富 / Kazutomi MORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 末松 憲治 / Noriharu SUEMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2006-03-03 |
| 資料番号 | MW2005-182 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 626 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |