講演名 | 2006-03-03 60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ) 西川 健二郎, 榎木 孝知, 杉谷 末広, 豊田 一彦, |
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抄録(和) | 本稿では低消費電力な60GHz帯低雑音増幅器(LNA)について報告する.本LNAに用いたデバイスは光通信向け高速ディジタル回路用に開発し,商用化している0.1μm InP HEMTである.試作した2段LNAMMICはゲート幅50μmのInP HEMTデバイス2個とコプレーナ線路で構成しており,チップサイズは0.9mm^2である. 0.4Vの動作電圧において, 60GHzにおける雑音指数2.86dB,利得12.3dBを達成している.この時の消費電力は5.6mWと超低消費電力であった.また,入力IP3は-9dBm, 3dB帯域幅は44.6GHz~67.2GHzと良好な特性を得た.本報告では, InP HEMTデバイスがミリ波高速無線通信用の低電圧・低消費電力MMICの実現に有効であることを示す. |
抄録(英) | This paper demonstrates the low-power operation of an InP HEMT 60-GHz band low-noise amplifier (LNA) MMIC. The device used here is a commercial 0.1-μm InP HEMT developed for high-speed digital ICs. The fabricated two-stage LNA MMIC, chip size of 0.9mm^2, employs two 50-μm gate-width InP HEMTs and coplanar waveguides. Under 0.4V supply voltage operation, the MMIC achieves a noise figure of 2.86 dB at 60GHz with an associated gain of 12.3dB. The power dissipation of the MMIC was only 5.6mW. The input IP3 was -9dBm at 60GHz. A3-dB bandwidth of 44.6GHz to 67.2GHz was also achieved. These results indicate the InP HEMT technology has a great potential for the low-voltage and low-power ICs that are required for future millimeter-wave high-speed wireless applications. |
キーワード(和) | 低消費電力 / 低雑音増幅器 / コプレーナ型MMIC / InP HEMT |
キーワード(英) | low-power consumption / low-noise amplifier / coplanar MMIC / InP HEMT |
資料番号 | MW2005-180 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | MW |
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開催期間 | 2006/2/24(から1日開催) |
開催地(和) | |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | 0.4V, 5.6mW InP HEMT 60-GHz band Low-Noise Amplifier MMIC |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 低消費電力 / low-power consumption |
キーワード(2)(和/英) | 低雑音増幅器 / low-noise amplifier |
キーワード(3)(和/英) | コプレーナ型MMIC / coplanar MMIC |
キーワード(4)(和/英) | InP HEMT / InP HEMT |
第 1 著者 氏名(和/英) | 西川 健二郎 / Kenjiro NISHIKAWA |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社 NTT未来ねっと研究所 NTT Network Innovation Labs., NTT Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 榎木 孝知 / Takatomo ENOKI |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Labs., NTT Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 杉谷 末広 / Suehiro SUGITANI |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Labs., NTT Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 豊田 一彦 / Ichihiko TOYODA |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社 NTT未来ねっと研究所 NTT Network Innovation Labs., NTT Corporation |
発表年月日 | 2006-03-03 |
資料番号 | MW2005-180 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 626 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |