講演名 2006/1/20
ナノ構造ZnS:Mn薄膜EL素子の動作特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
白波瀬 英幸, 足立 大輔, 外山 利彦, 岡本 博明,
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抄録(和) ナノ構造薄膜EL素子は発光層材料に半導体ナノ結晶を利用し, 低電圧でEL発光を生じる. ナノ構造ZnS : Mn薄膜EL素子の特性を明確にするため, 従来の二重絶縁型ZnS : Mn薄膜EL素子と動作特性を比較した. 応答速度や分極特性には顕著な差が見られなかったが, ナノ構造薄膜EL素子は二重絶縁型薄膜EL素子よりも, 発光開始前の移動電荷量が多く, また発光開始時の発光層中の電界強度が高いことが明らかになった. 移動電荷量は発光層の構造変化に対しては僅かな変動しか示さないものの絶縁層材料によって大きく変動することから, 絶縁層材料および絶縁層/発光層界面の制御がナノ構造薄膜EL素子における輝度・発光効率を検討する上で重要な要素であることを示した。
抄録(英) Low-voltage-operating thin-film nanostructured electroluminescent (NS-EL) device, which has the emission layer composed of ZnS : Mn nanocrystals, have been characterized, as compared with characteristics of conventional thin-film EL devices. The transferred charge densities of the NS-EL device operating below the threshold voltage were much larger, raising the electric field through the emission layer at the threshold voltage. Furthermore, replacing double-insulating layers from Y_2O_3 to Si_3N_4 or Ta_2O_5 was quite effective for suppressing driving-voltage. Whereas, no considerable difference was found either in temporal behaviors or in polarization characteristics. From these results, the role of double-insulating layers in the NS-EL device is discussed.
キーワード(和) ナノ結晶 / エレクトロルミネセンス / 薄膜 / ディスプレイ
キーワード(英) nanocrystal / electroluminescence / thin-film / ZuS / display
資料番号 EID2005-60
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 2006/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ナノ構造ZnS:Mn薄膜EL素子の動作特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Operation Characteristics of Thin-Film Electroluminescent Devices with Nanostructured ZnS : Mn Emission Layer
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ナノ結晶 / nanocrystal
キーワード(2)(和/英) エレクトロルミネセンス / electroluminescence
キーワード(3)(和/英) 薄膜 / thin-film
キーワード(4)(和/英) ディスプレイ / ZuS
第 1 著者 氏名(和/英) 白波瀬 英幸 / Hideyuki SHIRAHASE
第 1 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院 基礎工学研究科
Osaka University, Graduate School of Engineering Science
第 2 著者 氏名(和/英) 足立 大輔 / Daisuke ADACHI
第 2 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院 基礎工学研究科
Osaka University, Graduate School of Engineering Science
第 3 著者 氏名(和/英) 外山 利彦 / Toshihiko TOYAMA
第 3 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院 基礎工学研究科
Osaka University, Graduate School of Engineering Science
第 4 著者 氏名(和/英) 岡本 博明 / Hiroaki OKAMOTO
第 4 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院 基礎工学研究科
Osaka University, Graduate School of Engineering Science
発表年月日 2006/1/20
資料番号 EID2005-60
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 568
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日