| 講演名 | 2006-01-27 共鳴トンネル差動MOBILEの動作解析(量子ナノデバイスと回路応用) 中川 伸平, 江口 慶亮, 和保 孝夫, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 完全差動型MOBILEの動作解析をSPICEシミュレーションにより行った.30 GSample/s以上の超高速動作において出力に判定の遅れが生じることが分かったため, シングルエンド型MOBILEを対象として原因解明を行った結果, RTDの容量が負に帯電することが原因であることを明らかにした.更に, その対策として, 各RTDに抵抗を並列接続することが有効であることが分かり, 60 GSample/sまでの周波数範囲で, 判定の遅れが大幅に軽減できる可能性を示した. |
| 抄録(英) | Ultrahigh-frequency operation of fully-differential MOBILE has been analyzed by using SPICE simulation. For operation frequencies more than 30 GSample/s, a delay in the output signal was observed. It is found that this is due to a delay in charge/discharge of RTD capacitors and that connecting resistors in parallel to RTDs is effective to suppress the delay up to 60 GSample/s operation. |
| キーワード(和) | 完全差動型 / 超高速動作 / MOBILE / RTD |
| キーワード(英) | fully-differential / ultrahigh-frequency operation / MOBILE / RTD |
| 資料番号 | ED2005-236,SDM2005-248 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 共鳴トンネル差動MOBILEの動作解析(量子ナノデバイスと回路応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Analysis of Ultrahigh-Frequency Fully-Differential MOBILE Operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 完全差動型 / fully-differential |
| キーワード(2)（和/英） | 超高速動作 / ultrahigh-frequency operation |
| キーワード(3)（和/英） | MOBILE / MOBILE |
| キーワード(4)（和/英） | RTD / RTD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中川 伸平 / Shimpei NAKAGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 江口 慶亮 / Keisuke EGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 和保 孝夫 / Takao WAHO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 発表年月日 | 2006-01-27 |
| 資料番号 | ED2005-236,SDM2005-248 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 552 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |