講演名 2006-01-27
ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
阿部 裕二, 中村 達也, 田村 隆博, 葛西 誠也, 橋詰 保, 長谷川 英機,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 超低消費電力単電子論理回路の実現を目指し、独自のヘキサゴナルBDD量子論理回路を実装する単電子節点デバイスについて検討を行った。Y字型のGaAsエッチングナノ細線構造をナノサイズのショットキーラップゲートで制御する構造を用い、2つの量子ドットを利用したブランチスイッチ型と単一の量子ドットを有するノードスイッチ型の2つのタイプの素子を設計・試作・評価した。得られた結果に基づき、集積度、プロセス、消費電力等の観点からヘキサゴナルBDD回路に適したデバイス構造について議論する。
抄録(英) Towards future ultra-low power single electron logic circuits, single electron node devices implementing hexagonal binary decision diagram (BDD) quantum logic circuits were investigated. Two type of single electron BDD node devices called a branch switch type device and a node switch type device were designed utilizing GaAs-based nanowire branches controlled by nano-sized Schottky wrap gates (WPGs). The branch switch type device has single electron switches in each branch and the node switch type device has one quantum dot at node of Y-junction. Both devices were fabricated and their basic properties were characterized. Suitable device design and structure for the hexagonal BDD circuits were discussed from viewpoints of high-density integration, fabrication process, power consumption.
キーワード(和) 二分決定グラフ(BDD) / 単電子 / GaAs / ショットキーラップゲート(WPG) / 論理回路
キーワード(英) binary decision diagram(BDD) / single electron / GaAs / Schttoky wrap gate (WPG) / logic cicuit
資料番号 ED2005-235,SDM2005-247
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2006/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Investigation of GaAs-based Single Electron Devices for Hexagonal BDD Single Electron Logic Circuits
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 二分決定グラフ(BDD) / binary decision diagram(BDD)
キーワード(2)(和/英) 単電子 / single electron
キーワード(3)(和/英) GaAs / GaAs
キーワード(4)(和/英) ショットキーラップゲート(WPG) / Schttoky wrap gate (WPG)
キーワード(5)(和/英) 論理回路 / logic cicuit
第 1 著者 氏名(和/英) 阿部 裕二 / Yuji ABE
第 1 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 達也 / Tatsuya NAKAMURA
第 2 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
第 3 著者 氏名(和/英) 田村 隆博 / Takahiro TAMURA
第 3 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
第 4 著者 氏名(和/英) 葛西 誠也 / Seiya KASAI
第 4 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
第 5 著者 氏名(和/英) 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME
第 5 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
第 6 著者 氏名(和/英) 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA
第 6 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
発表年月日 2006-01-27
資料番号 ED2005-235,SDM2005-247
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 552
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日