| 講演名 | 2006-01-27 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用) 葛西 誠也, 湯元 美樹, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | 量子ナノ集積論理回路であるナノプロセッサの低消費電力演算特性を明らかにするために, GaAs系ショットキーラップゲート(WPG)制御量子細線トランジスタおよび単電子トランジスタの論理スイッチング特性に理論的・実験的解析を行った.WPG制御量子細線トランジスタおよび単電子トランジスタについて, サブスレッショルド係数や論理振幅を実験的に評価したところ, これらのパラメータの温度依存性はほぼ線形であり, 理論と一致した.しかし, 量子細線トランジスタの中には温度に対し非線形変化するものが認められ, 電子波干渉効果や微細MOSFETにおけるトンネルによる温度依存性消失とは異なり, トンネルや統計分布以外に論理振幅を支配する物理機構が介在していることが示唆された. |
| 抄録(英) | To confirm the ultra-low power consumption capability of quantum nano integrated logic circuits, such as nanoprocessors, switching characteristics of GaAs-based quantum wire transistors and single electron transistors controlled by nanometer-scale Schottky wrap gates (WPGs) were investigated theoretically and experimentally. Experimental data of subthreshold factor and logic swing values were found to be proportional to the temperature that could be explained by the theory. However, the some quantum wire transistors showed non-ideal temperature dependence of the logic swing, which were different from the theoretical prediction as well as the electron wave interaction and the tunneling. This indicated that there were another physical mechanisms controlling the logic swing value in the quantum wire transistors. |
| キーワード(和) | 量子ナノ集積回路 / 量子細線トランジスタ / 単電子トランジスタ / スイッチング特性 / 論理振幅 |
| キーワード(英) | quantum nanocircuit / quantum wire transistor / single electron transistor / switching characteristic / logic swing |
| 資料番号 | ED2005-234,SDM2005-246 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Switching Characteristics of Quantum Wire Transistors and Single Electron Transistors Controlled by Schottky Wrap Gate for Ultra-low Power Quantum Nano-Integrated Logic Circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ナノ集積回路 / quantum nanocircuit |
| キーワード(2)（和/英） | 量子細線トランジスタ / quantum wire transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 単電子トランジスタ / single electron transistor |
| キーワード(4)（和/英） | スイッチング特性 / switching characteristic |
| キーワード(5)（和/英） | 論理振幅 / logic swing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya KASAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 湯元 美樹 / Miki YUMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2006-01-27 |
| 資料番号 | ED2005-234,SDM2005-246 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 552 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |