| 講演名 | 2006-01-27 ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス) 金澤 徹, 諸澤 篤史, 藤井 諒, 和田 宇史, 渡辺 正裕, 浅田 雅洋, |
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| 抄録(和) | 共鳴トンネルダイオード(RTD)は強い非線形性と高速動作性から高周波回路・高機能論理回路への応用が期待されている。CaF_2/CdF_2ヘテロ構造は2.3eV以上の大きな伝導帯バンド不連続をもちシリコン基板上にエピタキシャル成長が可能な材料であり、Si-LSIとRTDとの集積化の実現へ向けて大ききな可能性を持った材料である。Si-LSIとの集積化を行うためにはSi(100)基板上へのヘテロ構造形成が必要となるが、(111)面に比べ良好な結晶性が得にくくPVCRが小さいという問題があった。今回CaF_2障壁層のアニールとナノ領域成長を併用することで10^6という(111)と同等の大きなPVCRを得ることができた。 |
| 抄録(英) | A CdF_2/CaF_2 heterostructure is an attractive candidate for quantum applications on Si substrates, such as resonant tunneling diodes (RTDs) and quantum intersubband transition devices, because of the large conduction band discontinuity (ΔEc～2.9eV) at the heterointerface. We have observed clear NDR with high PVCR for fluoride-based DBRTDs on Si(100) substrates by nanoarea local epitaxy. Crystal growth areas were limited by 15-nm-thick SiO_2 insulator layer and holes with a diameter of 80nm were observed. And bottom CaF_2 layer was post-growth annealed at 500℃. The PVCR obtained was more than 10^6, Which is the highest for fluoride-based RTDs on Si(100) substrates. |
| キーワード(和) | RTD / NDR / 超ヘテロ構造 / 量子効果デバイス / CaF_2 / CdF_2 / シリコン |
| キーワード(英) | RTD / NDR / quantum / CaF_2 / CdF_2 / Silicon |
| 資料番号 | ED2005-233,SDM2005-245 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/1/20(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fluoride based Resonant Tunneling Diode on Si(100) substrate using Nanoarea Local Growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RTD / RTD |
| キーワード(2)（和/英） | NDR / NDR |
| キーワード(3)（和/英） | 超ヘテロ構造 / quantum |
| キーワード(4)（和/英） | 量子効果デバイス / CaF_2 |
| キーワード(5)（和/英） | CaF_2 / CdF_2 |
| キーワード(6)（和/英） | CdF_2 / Silicon |
| キーワード(7)（和/英） | シリコン |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金澤 徹 / Tohru KANAZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東工大総理工 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Tech |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 諸澤 篤史 / Atsushi MOROSAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東工大総理工 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Tech |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 諒 / Ryo FUJII |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東工大総理工 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Tech |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 和田 宇史 / Takafumi WADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東工大総理工 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Tech |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡辺 正裕 / Masahiro WATANABE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東工大総理工:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Tech:SORST-JST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / Masahiro ASADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東工大総理工 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Tech |
| 発表年月日 | 2006-01-27 |
| 資料番号 | ED2005-233,SDM2005-245 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 552 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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