| 講演名 | 2006-01-27 Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス) 自念 圭輔, 菊池 毅, 内田 薫, 小平 新志, 渡辺 正裕, 浅田 雅洋, |
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| 抄録(和) | 弗化カルシウム(CdF_2)、弗化カドミウム(CdF_2)はシリコン(Si)基板上にエピタキシャル成長可能であり、これを用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)やサブバンド間遷移(ISBT)を用いた光デバイスは、高速・高機能な量子効果デバイスを構成する材料系として有望である。CdF_2/CaF_2ヘテロ界面には～2.9eVの伝導体バンド不連続があるため、従来のサブバンド間遷移レーザでは不可能であった近赤外領域での発光が期待できる。我々は(CdF_2/CaF_2)を活性層に用いたサブバンド間遷移レーザ(量子カスケードレーザ)を提案し、しきい値電流密度の解析及び作製した(CdF_2/CaF_2)活性層からEL発光を観測した。本報告では、CdF_2/CaF_2サブバンド間遷移レーザ構造からのEL発光特性について述べる。 |
| 抄録(英) | Room temperature electroluminescence from CdF_2/CaF_2 inter-subband transition laser structures on Si substrate is presented. CdF_2/CaF_2 heterostructure can be grown on silicon substrate epitaxially and has large conduction band offset at the heterointerface, which enable to short wavelength (near infrared) inter-subband optical transition in CdF_2 quantum-wells on silicon substrate. In this report, room temperature electroluminescence from (CdF_2/CaF_2) active region is presented and discussed. |
| キーワード(和) | 弗化カルシウム / 弗化カドミウム / サブバンド間遷移レーザ / シリコン / 量子ヘテロ構造 |
| キーワード(英) | CaF_2 / CdF_2 / inter-subband transition laser / silicon / quantum heterostructure |
| 資料番号 | ED2005-232,SDM2005-244 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electroluminescence from (CdF_2/CaF_2) Inter-subband Transition Laser Structures on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 弗化カルシウム / CaF_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 弗化カドミウム / CdF_2 |
| キーワード(3)（和/英） | サブバンド間遷移レーザ / inter-subband transition laser |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(5)（和/英） | 量子ヘテロ構造 / quantum heterostructure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 自念 圭輔 / Keisuke JINEN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菊池 毅 / Takeshi KIKUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内田 薫 / Kaoru UCHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小平 新志 / Shinji KODAIRA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡辺 正裕 / Masahiro WATANABE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科:科学技術振興機構SORST Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology:SORST-JST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / Masahiro ASADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006-01-27 |
| 資料番号 | ED2005-232,SDM2005-244 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 552 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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