| 講演名 | 2006-01-27 Si微小電子源とスミス・パーセル放射光応用 : 微小電子源を用いた新光源の提案(光・電子ナノデバイス) 根尾 陽一郎, 嶋脇 秀隆, 三村 秀典, |
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| 抄録(和) | 我々は先端径20nm以下の高さ1um程度のSi電界放射陰極(Si-FEA)を半導体微細加工により作製し、その電流放射特性を研究している。今回真空マイクロ応用とし紫外線からマイクロ波までの高帯域に発振する、Si-FEAを用いたスミス・パーセル放射光を提案し原理実験を行っている。放射実験には、シングルチップS-FEAを用い、金属周期構造との相互作用電流200nA, 加速電圧35kVの低入力電力においても、紫外線から近赤外領域において良好な放射光を得るのに成功したので報告する。上記の低入力電力においても、良好な紫外線から近赤外線領域までの放射光を確認出来たので報告する。 |
| 抄録(英) | The Silicon field emitter with less than 20nm spearhead was fabricated using reactive ion etching and thermal oxidation. We proposed Smith-Purcell Radiation using Si field emitter as a new light source, which covers wide range. In this study, it was reported that the radiation from ultraviolet to near infrared was successfully observed with low input power condition such as acceleration voltage up to 35kV and interaction current about 200nA. |
| キーワード(和) | Si電界放射陰極 / スミス・パーセル放射光 |
| キーワード(英) | Si field emitter / Smith-Purcell Radiation |
| 資料番号 | ED2005-231,SDM2005-243 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/1/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si微小電子源とスミス・パーセル放射光応用 : 微小電子源を用いた新光源の提案(光・電子ナノデバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Smith-Purcell Radiation using Si field emitter : Proposal of light source using field emitter |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si電界放射陰極 / Si field emitter |
| キーワード(2)（和/英） | スミス・パーセル放射光 / Smith-Purcell Radiation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 八戸大学工学部 Hachinohe Institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三村 秀典 / Hidenori Mimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2006-01-27 |
| 資料番号 | ED2005-231,SDM2005-243 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 552 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |