| 講演名 | 2006/1/13 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発( 南 良博, 篠 智彰, 坂本 篤史, 東 知輝, 楠 直樹, 藤田 勝之, 初田 幸輔, 大澤 隆, 青木 伸俊, 谷本 弘吉, 森門 六月生, 中島 博臣, 井納 和美, 浜本 毅司, 仁田山 晃寛, |
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| 抄録(和) | SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb SOI DRAMを試作し良好な結果を得た.フルファンクションと良好なリテンション特性を得るためにウェル構造の最適化を行い, 配線抵抗増大による信号劣化を抑えるためにソース線とビット線にCu配線を採用した. |
| 抄録(英) | A 128Mb SOI DRAM with FBC (Floating Body Cell) has been successfully developed for the first time. In order to realize full functionality and good retention characteristics, the well design has been optimized. Cu wiring has been used for Bit Line(BL) and Source Line(SL), which leads to increasing the signal of the worst bit in the array and also realizes the full compatibility with 90nm CMOS Technology. |
| キーワード(和) | FBC / SOI / DRAM / Cu / メモリ / 混載 / 90nm / CMOS |
| キーワード(英) | FBC / SOI / DRAM / Cu / Memory / Embeded / 90nm / CMOS |
| 資料番号 | SDM2005-235 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/1/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発( |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Technology development of 128Mb-FBC(Floating Body Cell) Memory by 90nm CMOS process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FBC / FBC |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(4)（和/英） | Cu / Cu |
| キーワード(5)（和/英） | メモリ / Memory |
| キーワード(6)（和/英） | 混載 / Embeded |
| キーワード(7)（和/英） | 90nm / 90nm |
| キーワード(8)（和/英） | CMOS / CMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 南 良博 / Yoshihiro MINAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 篠 智彰 / Tomoaki SHINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂本 篤史 / Atsushi SAKAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝情報システム(株) Toshiba Information Systems(Japan) Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 東 知輝 / Tomoki HIGASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) Toshiba Microelectronics Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 楠 直樹 / Naoki KUSUNOKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤田 勝之 / Katsuyuki FUJITA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 初田 幸輔 / Kosuke HATSUDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 大澤 隆 / Takashi OHSAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 青木 伸俊 / Nobutoshi AOKI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 谷本 弘吉 / Hiroyoshi TANIMOTO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 森門 六月生 / Mutsuo MORIKADO |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 中島 博臣 / Hiroomi NAKAJIMA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 井納 和美 / Kazumi INOH |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 浜本 毅司 / Takeshi HAMAMOTO |
| 第 14 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 仁田山 晃寛 / Akihiro NITAYAMA |
| 第 15 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. |
| 発表年月日 | 2006/1/13 |
| 資料番号 | SDM2005-235 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 541 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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