| 講演名 | 2006-01-20 製造誤差による特性変動を軽減するLTCC内蔵90度ハイブリッド(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 湯浅 健, 田原 志浩, 大橋 英征, |
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| 抄録(和) | LTCC多層基板に内蔵する90度ハイブリッドにおいて, 積層時のバターン同士の位置精度, 基板厚精度等の製造誤差に起因する回路特性変動を低減できる構成を検討した.回路構成として, 積層時の位置ズレに対して特性変動を小さくできるタンデム型ハイブリッドを採用した.さらに, タンデム型ハイブリッドを構成する2つの結合線路の側面に, 基板内部に形成したVIAホールによる擬似導体壁を設けることにより, 基板厚精度に起因する特性変動を軽減できることを示した.上記ハイブリッドの試作評価結果からも, 製造誤差による特性変動軽減効果が確認できた. |
| 抄録(英) | 90 degree hybrid in multi-layered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate which is insensitive to misalignment of conductor patterns and to thickness variation of each layer is investigated. It is shown that a tandem type coupler with ground walls is useful for avoiding the variation of coupling characteristics. Moreover experimental results show that the hybrid characteristics have good agreement with designed results in spite of thickness error so this type of hybrid is useful for high yield RF modules. |
| キーワード(和) | LTCC / 多層基板 / ハイブリッド / 誤差 |
| キーワード(英) | LTCC / multi-layered substrate / hybrid / error |
| 資料番号 | ED2005-214,MW2005-168 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2006/1/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 製造誤差による特性変動を軽減するLTCC内蔵90度ハイブリッド(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 90 Degree Hybrid with Insensitivity to Misalignment and Thickness Variation of Multi-layered LTCC Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LTCC / LTCC |
| キーワード(2)（和/英） | 多層基板 / multi-layered substrate |
| キーワード(3)（和/英） | ハイブリッド / hybrid |
| キーワード(4)（和/英） | 誤差 / error |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 湯浅 健 / Takeshi YUASA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田原 志浩 / Yukihiro TAHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大橋 英征 / Hideyuki OHHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2006-01-20 |
| 資料番号 | ED2005-214,MW2005-168 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 525 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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