| 講演名 | 2006-01-19 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 金村 雅仁, 吉川 俊英, 岩井 大介, 今西 健治, 久保 徳郎, 常信 和清, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Si_3N_4絶縁ゲートを有するn-GaN/n-AlGaN/i-GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した。作製したMIS-HEMTは順方向リーク電流が従来のショットキーゲートデバイスと比べて8桁低減され、逆方向耐圧も400V以上あることが確認できた。また、GaN HEMT増幅器(1チップ)の特性としてドレイン電圧60V、周波数2.14GHzで出力110Wが得られた。 |
| 抄録(英) | A state-of-the-art large gate-periphery n-GaN/n-AlGaN/GaN MIS-HEMTs were fabricated on a S.I.-SiC substrate. The forward gate leakage current of the GaN MIS-HEMT was eighth orders of magnitude lower than that of the Schottky gate HEMT and the 2-terminal gate to drain reverse breakdown voltage of the GaN MIS-HEMT reaches greater than 400V. The single chip GaN MIS-HEMT amplifier operated at 60V achieves a high output power of 110W at 2.14GHz. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / 基地局 / MIS / Si_3N_4 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / Base Station / MIS / Si_3N_4 |
| 資料番号 | ED2005-208,MW2005-162 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/1/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Power AlGaN/GaN MIS-HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 基地局 / Base Station |
| キーワード(3)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(4)（和/英） | Si_3N_4 / Si_3N_4 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩井 大介 / Taisuke IWAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今西 健治 / Kenji IMANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 久保 徳郎 / Tokuro KUBO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2006-01-19 |
| 資料番号 | ED2005-208,MW2005-162 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 524 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |