| 講演名 | 2006-01-19 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 吉川 俊英, 今西 健治, 金村 雅仁, 常信 和清, |
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| 抄録(和) | 半絶縁性SiC基板に比べ低コスト化を可能とする3インチ導電性n型SiC基板上にAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した.3インチN型SiC基板上にHVPE法により10μm程度の厚いAlNバッファ層を成長したがウェハーの反りを20μm以下であった.作製したGaN HEMT増幅器の特性としてドレイン電圧60V, 周波数2GHzで出力7.0W/mm, 電力付加効率(PAE)70%が得られた.PAEの標準偏差も面内で3.0ポイントと良好であった. |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) were fabricated on low-cost 3-inch conductive n-SiC substrates. A GaN HEMT amplifier, operating at 60V, achieved an output power density of 7.0W/mm, and a power-added-efficiency of 70% at 2GHz. Standard variations of PAE at 50V was 3.0 point. |
| キーワード(和) | GaN / 高電子移動度トランジスタ / 基地局 / SiC / AlN |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / base station / SiC / AlN |
| 資料番号 | ED2005-207,MW2005-161 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2006/1/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly-Uniform GaN-HEMT on 3-inch Conductive SiC Substrate for Wireless Base Station Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 基地局 / base station |
| キーワード(4)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(5)（和/英） | AlN / AlN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今西 健治 / Kenji IMANISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2006-01-19 |
| 資料番号 | ED2005-207,MW2005-161 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 524 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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