| 講演名 | 2006-01-19 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 塩島 謙次, 牧村 隆司, 小杉 敏彦, 末光 哲也, 重川 直輝, 廣木 正伸, 横山 春喜, |
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| 抄録(和) | SiC基板上0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaNHEMTミキサーを作製し、DC、及び変調特性を評価した。T字0.15×300μmゲートデバイスは最大相互コンダクタンス40mS, オン耐圧30V以上、オフ耐圧86Vを示した。電源電圧30V、ローカル周波数10GHzにおいて、最大RF出力17dBm, 変換利得7.5dBの特性を示した。ローカル周波数が2GHzから10GHzに増加しても、最大RF出力、及び変換利得の低下はそれぞれ2dB、2.6dBに抑えたれた。これらの結果はゲート長短縮による周波数特性の改善で、AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTがX帯までの応用を実現できることを示唆するものである。 |
| 抄録(英) | We have fabricated dual-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) with a short gate on SiC substrates for use in high-power mixers and have measured the DC and up-conversion RF characteristics. A device with a T-shaped gate (0.15μm×300μm) exhibits a maximum transconductance of 40mS, an on-state breakdown voltage of over 30V, and off-state breakdown voltage of 86V. The maximum RF output power (P_ |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HEMT / デュアルゲート構造 / 高出力ミキサー / 短ゲート |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / Dual-gate structure / High-power mixer / Short gate |
| 資料番号 | ED2005-206,MW2005-160 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2006/1/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 0.15-μm dual-gate AlGaN/GaN HEMT mixers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | デュアルゲート構造 / Dual-gate structure |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力ミキサー / High-power mixer |
| キーワード(4)（和/英） | 短ゲート / Short gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧村 隆司 / Takashi MAKIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小杉 敏彦 / Toshihiko KOSUGI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 末光 哲也 / Tetsuya SUEMITSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 廣木 正伸 / Masanobu HIROKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 横山 春喜 / Haruki YAKOYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2006-01-19 |
| 資料番号 | ED2005-206,MW2005-160 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 524 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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