| 講演名 | 2006-01-19 リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 見田 充郎, 海部 勝晶, 伊藤 正紀, 佐野 芳明, 石川 博康, 江川 孝志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Si基板上にエピ成長したウェハを用いて、AlGaN/GaN-HEMTを作製した。オーミック電極のリセス構造を検討し、リセス深さを最適化した。リセス無しのオーミック電極では非オーミック性であったが、リセスした場合にはオーミック性となり、さらには2次元電子の存在する領域まで深くしてもコンタクト抵抗は改善され0.7Ωmmまで低減できた。ゲート電極にもリセスを採用し、ゲート長1μmで400mS/mmを越える最大相互コンダクタンスを得た。また、電子線描画法で作製したゲート長0.2μmのT型ゲートHEMTで、カットオフ周波数f_T 56GHz、最大発信周波数fmax 115GHzの特性を得た。 |
| 抄録(英) | We successfully fabricated AlGaN/GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) with recessed ohmic and recessed gate electrodes on silicon substrates for the first time. By optimizing ohmic recess depth, the lowest contact resistance of 0.7Ωmm was realized at optimized recess depth. Gate recess depth was also optimized and the maximum extrinsic trans-conductance gm-max of as high as 400mS/mm was obtained from the HEMT having gate length of 1μm. And HEMTs with gate length 0.2μm fabricated by electron beam lithography exhibited the maximum unity current cut-off frequency f_T of 56GHz and the maximum oscillation frequency f_ |
| キーワード(和) | GaN / HEMT / Si基板 / リセスオーミック電極 / リセスゲート電極 |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / Si substrate / recessed ohmic electrode / recessed gate electrode |
| 資料番号 | ED2005-204,MW2005-158 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/1/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN-HEMTs with Recessed Ohmic Electrodes on Si Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | リセスオーミック電極 / recessed ohmic electrode |
| キーワード(5)（和/英） | リセスゲート電極 / recessed gate electrode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 見田 充郎 / Juro MITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 海部 勝晶 / Katsuaki KAIFU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 正紀 / Masanori ITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐野 芳明 / Yoshiaki SANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス研究センタ Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス研究センタ Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006-01-19 |
| 資料番号 | ED2005-204,MW2005-158 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 524 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |