| 講演名 | 2006-01-19 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 出口 忠義, 脇 英司, 小野 悟, 山下 明一, 鎌田 厚, 中川 敦, 石川 博康, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | 半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタ(LT-GaN/AlGaN/GaN HFET)は、LT-GaNキャップ層がゲート絶縁膜とパッシベーション膜の役割を担うため、従来のAlGaN/GaN HFETに比べてゲートリーク電流が低減し、電流コラプスが抑制される。このLT-GaN/AlGaN/GaN HFETのオーミック特性は、半絶縁性のLT-GaN層上にもかかわらず従来のAlGaN/GaN HFETよりも良好であった。オーミック電極直下を断面TEM観察した結果、電極材料がGaNチャネル層まで拡散しているためと分かった。このLT-GaN/AlGaN/GaN HFETは、短ゲートパルス(200ns)印加測定においても電流コラプスが抑制されることが確認された。また、ゲート長0.5μmのLT-GaN/AlGaN/GaN HFETのRF小信号特性は、f_T=21GHz, f_ |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with a highly resistive, low-temperature GaN (LT-GaN) cap layer (LT-GaN/AlGaN/GaN HFETs) reduce gate leakage current and suppress current collapse because the cap layer serves as a gate insulator and passivates the surface of the HFET. LT-GaN/AlGaN/GaN HFETs exhibit lower ohmic contact resistance compared with conventional AlGaN/GaN HFETs. We investigated the mechanism by which the LT-cap layer reduces ohmic contact resistance by using TEM analysis. We found that the reduced ohmic contact resistance is dominated by the electrode materials diffusing into the GaN channel layer. The current collapse was suppressed in the LT-GaN/AlGaN/GaN HFETs even under pulse-mode gate stress with short pulses of 200ns. The f_T and f_ |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN / LT-GaN / HFET / オーミック接触抵抗 / TEM / 電流コラプス |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / HFET / LT-GaN / ohmic contact resistance / TEM / current collapse |
| 資料番号 | ED2005-203,MW2005-157 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2006/1/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN HFETs with a Low-Temperature GaN Cap Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | LT-GaN / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | HFET / LT-GaN |
| キーワード(4)（和/英） | オーミック接触抵抗 / ohmic contact resistance |
| キーワード(5)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(6)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 出口 忠義 / Tadayoshi DEGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 脇 英司 / Eiji WAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小野 悟 / Satoru ONO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山下 明一 / Meiichi YAMASHITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鎌田 厚 / Atsushi KAMADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中川 敦 / Atsushi NAKAGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006-01-19 |
| 資料番号 | ED2005-203,MW2005-157 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 524 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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