| 講演名 | 2006-01-19 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 瀧澤 俊幸, 中澤 敏志, 上田 哲三, 田中 毅, 江川 孝志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 格子整合した六方晶InAlGaN四元混晶における禁制帯幅のボウイング定数について実験および理論計算によって明らかにした.まず, 有機金属気相成長法により様々な組成のInAlGaN四元混晶を成長した.そしてX線回折法および電子線マイクロアナライザ評価等によりGaNに格子整合する試料を抽出した.また, これらのGaNに格子整合するInAlGaNについて低温フォトルミネッセンス測定を行い、禁制帯幅を求めた.次に従来よりもサイズの大きな192原子スーパーセルを用いた第一原理計算によってInAlGaN四元混晶の禁制帯幅を計算した.計算結果からボウイング定数は原子配置にあまり依存せず2.2eVから2.5eVと求められ, 先の実験結果を裏付ける結果となった. |
| 抄録(英) | Bandgap bowing parameters for wurtzite InAlGaN quaternary alloy are investigated by both experimental measurements and first-principle calculation. InAlGaN alloy films with various compositions were successfully grown on GaN/sapphire by metal organic chemical vapor deposition. According to X-ray diffraction and electron probe micro-analysis study, the lattice-matched films are chosen for low temperature photoluminescence measurements to evaluate their bandgaps. In addition, in order to estimate the bandgap bowing parameter, we calculate the bandgap of InAlGaN quaternary alloy by first-principles calculation employing large 192-atoms supercells. The calculated bowing parameters are large values between 2.2eV and 2.5eV regardless the interatomic coordinations of Al and In atoms. The calculated InAlGaN bandgaps well agree with the experimentally obtained values. These values are very useful for the epitaxial design of the practical device application using the InAlGaN alloy. |
| キーワード(和) | InAlGaN / ボウイング定数 / フォトルミネッセンス / 第一原理計算 |
| キーワード(英) | InAlGaN / bowing parameter / photoluminescence / first-principles calculation |
| 資料番号 | ED2005-202,MW2005-156 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/1/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of Bandgap Bowing Parameters for Lattice-Matched Wurtzite InAlGaN Quaternary Alloy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAlGaN / InAlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | ボウイング定数 / bowing parameter |
| キーワード(3)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | 第一原理計算 / first-principles calculation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 瀧澤 俊幸 / Toshiyuki TAKIZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中澤 敏志 / Satoshi NAKAZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上田 哲三 / Tetsuzo UEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tsuyoshi TANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス昨日システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006-01-19 |
| 資料番号 | ED2005-202,MW2005-156 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 524 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |