| 講演名 | 2006-01-19 GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 加藤 寛樹, ミツェーク マルチン, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | GaN MIS界面の特性を詳細に評価するために、高温およびUV照射下での容量-電圧(CV)測定を行った。SiO_2/GaN界面では、CV曲線のスロープの減少、空乏領域での容量の増加、ヒステリシスの出現などが観測され、室温暗時測定では評価できないmidgap近傍の界面準位の応答を調べることができた。次に、界面特性の向上を目的として、薄いAlO_x膜を界面制御層として利用する構造を考案した。薄いAlO_x膜はAl膜の分子線堆積とUHVアニールにより形成した。作製したSiO_2/AlO_x/GaN構造は理想CV曲線に非常に近い特性を与え、薄いAlO_x層が良好な界面を得るための制御層になり得る可能性を示した。 |
| 抄録(英) | To investigate interface properties of GaN-based MIS structures, capacitance-voltage (CV) characterization was carried out under high temperatures and UV illumination. A SiO_2/GaN structure showed a pronounced decrease in slope of capacitance variation and an increase in capacitance at the depletion region at high temperatures as well as a large hysteresis in the CV curve under UV illumination. These are probably caused by a response of interface states near midgap. Then we fabricated a SiO_2/ultrathin AlO_x/GaN structure. An ultrathin AlO_x layer was prepared on GaN surface by molecular beam deposition of Al and UHV annealing. The MIS structure with an ultrathin AlO_x interlayer gave a good CV curve close to the calculated one. |
| キーワード(和) | GaN / MIS構造 / CV / 高温 / UV照射 / SiO_2 / Al_2O_3 |
| キーワード(英) | GaN / MIS / CV / high temperature / UV / SiO_2 / Al_2O_3 |
| 資料番号 | ED2005-201,MW2005-155 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2006/1/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-V characterization of GaN based MIS structures at high temperatures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS構造 / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | CV / CV |
| キーワード(4)（和/英） | 高温 / high temperature |
| キーワード(5)（和/英） | UV照射 / UV |
| キーワード(6)（和/英） | SiO_2 / SiO_2 |
| キーワード(7)（和/英） | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 寛樹 / Hiroki Kato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ミツェーク マルチン / Marcin Miczek |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2006-01-19 |
| 資料番号 | ED2005-201,MW2005-155 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 524 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |