| 講演名 | 2006-01-19 AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) バシーレ アルベルト, 小谷 淳二, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTのゲートにステップ電圧を加え、ドレイン電流の過渡電流応答の温度依存性および光照射依存性を評価した。過渡電流応答はドレイン-ゲート間隔に大きく依存し、表面の寄与が大きいことがわかった。得られた過渡応答をICTS(isothermal current transient spectroscopy)解析した結果、過渡応答に寄与している表面準位・深い準位はエネルギー分布を持つことが明らかとなった。UV光照射下においては、顕著なゲートラグは見られなくなった。 |
| 抄録(英) | Gate-lag effects are characterized in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) by means of measurements at various temperatures and under UV light irradiation. Gate lag increasingly affects device switching at increasing extension of the surface access region, suggesting that responsible deep levels be located at the free surface of the HEMT. Results are presented from isothermal current transient spectroscopy (ICTS) analysis, providing consistent indications about activation energy of deep-level traps. Gate-lag transients are shown to be suppressed by UV illumination. The persistence of dispersion-free transients, after stopping UV light, may be attributed to oxygen desorption. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMTs / current collapse / gate lag / surface traps / ICTS / UV illumination |
| 資料番号 | ED2005-200,MW2005-154 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2006/1/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Gate-Lag Phenomena in Unpassivated AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlGaN/GaN HEMTs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | バシーレ アルベルト / Alberto F. BASILE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小谷 淳二 / Junji KOTANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2006-01-19 |
| 資料番号 | ED2005-200,MW2005-154 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 524 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |