講演名 2006-01-18
InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
鈴木 俊秀, 川野 陽一, 中舎 安宏, 牧山 剛三, 高橋 剛, 原 直紀, 廣瀬 達哉,
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抄録(和) 0.13μm InP系HEMT技術を用いて, 40Gbit/s以上で動作可能なデジタルICを開発した.新規開発したマルチフェーズクロック技術により、50Gbit/s動作のフルレート4:1マルチプレクサ(MUX)において消費電力0.45Wを実現。またクロックによるリタイミング機能を持つNRZ-RZ符号変換回路を開発し、その50Gbit/s動作にも成功した。
抄録(英) In this paper, we describe ultra high-speed digital ICs operated at 40Gbit/s. Multiphase architecture we developed makes it possible to achieve 50-Gbit/s full-rate 4:1 MUX with low power consumption of 0.45W. We also developed novel NRZ-RZ converter with retiming function. It operated at 50Gbit/s.
キーワード(和) InP系HEMT / マルチプレクサ / マルチフェーズクロック回路 / NRZ-RZ変換回路
キーワード(英) InP HEMT / Multiplexer / Multiphase clock architecture / NRZ-RZ converter
資料番号 ED2005-193,MW2005-147
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2006/1/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
サブタイトル(和)
タイトル(英) 40-Gbit/s digital ICs using InP HEMTs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InP系HEMT / InP HEMT
キーワード(2)(和/英) マルチプレクサ / Multiplexer
キーワード(3)(和/英) マルチフェーズクロック回路 / Multiphase clock architecture
キーワード(4)(和/英) NRZ-RZ変換回路 / NRZ-RZ converter
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 俊秀 / Toshihide SUZUKI
第 1 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 川野 陽一 / Yoichi KAWANO
第 2 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 中舎 安宏 / Yasuhiro NAKASHA
第 3 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA
第 4 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHASHI
第 5 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 原 直紀 / Naoki HARA
第 6 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 7 著者 氏名(和/英) 廣瀬 達哉 / Tatsuya HIROSE
第 7 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
発表年月日 2006-01-18
資料番号 ED2005-193,MW2005-147
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 523
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日