講演名 | 2006-01-17 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計(FPGAとその応用及び一般) 泉 貴富, 高田 雅史, 中山 和也, 北川 章夫, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | 相変化不揮発性メモリ(PRAM)における新しい多値化記憶の手法と回路を提案する.PRAMは, 記憶素子としてカルコゲナイド半導体を用いる.私達はカルコゲナイド半導体としてSe_<15>Sb_<15>Te_<70>を用いたメモリセルにおいて, 電流パルスの印加回数に対し素子抵抗が段階的に変化することを実験的に確認した.その結果を用いて, 8段階に素子抵抗が変化するメモリセル(3bit/cell)を仮定して0.35-umCMOSテクノロジーを用いて, 3bit多値のメモリ回路を設計した.回路シミュレーションにて, 1024×512のメモリセルアレイを仮定して読み出し時間が, 50ns最大書き込み時間が4.2usの結果を得た. |
抄録(英) | A novel multiple programming method for a phase change nonvolatile randam access memory(PRAM) is proposed. PRAM uses chalcogenide alloy for memory element. We have experimentally observed 8-valued resistance in the range of 41kΩ-836Ω at the Se_<15>Sb_<15>Te_<70> discrete memory cell(3bit/cell) that controlled by the number of the applied current pulses. On the basis of this experimental results, the 8-valued memory circuit was designed with 0.35-um CMOS technology. It has been confirmed with a circuit simulation for 1024×512 cell array that read and write time are 50ns and 4.5us respectively at 3.3V supply voltage. |
キーワード(和) | 多値記憶 / PRAM / OUM / 相変化材料 |
キーワード(英) | Multi-bit / PRAM / OUM / Phase change material |
資料番号 | VLD2005-94,CPSY2005-50,RECONF2005-83 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPSY |
---|---|
開催期間 | 2006/1/10(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Computer Systems (CPSY) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計(FPGAとその応用及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Multuiple Programming Method and Circuit Design for a Phase Change Nonvolatile Random Access Memory |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 多値記憶 / Multi-bit |
キーワード(2)(和/英) | PRAM / PRAM |
キーワード(3)(和/英) | OUM / OUM |
キーワード(4)(和/英) | 相変化材料 / Phase change material |
第 1 著者 氏名(和/英) | 泉 貴富 / Takatomi IZUMI |
第 1 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部 Faculty of Engineering, Kanazawa University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 高田 雅史 / Masashi TAKATA |
第 2 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部 Faculty of Engineering, Kanazawa University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 中山 和也 / Kazuya NAKAYAMA |
第 3 著者 所属(和/英) | 金沢大学医学部 School of Health Sciences, Kanazawa University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 北川 章夫 / Akio KITAGAWA |
第 4 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部 Faculty of Engineering, Kanazawa University |
発表年月日 | 2006-01-17 |
資料番号 | VLD2005-94,CPSY2005-50,RECONF2005-83 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 515 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |