| 講演名 | 2006-01-26 カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs 2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション) 石橋 幸治, 塚本 竹雄, 森山 悟士, 内田 剛生, 山口 智弘, |
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| 抄録(和) | カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs 2次元電子ガスをハイブリッド化することによる新しいデバイスの可能性を示した。そのための予備実験として、カーボンナノチューブ量子ドットを2次元電子ガス基板上に作製し、2次元電子ガスをゲートとして単電子トランジスタ動作を実証した。さらに、2次元電子ガス内に設けた量子ポイントコンタクトのピンチオフをコントロールすることにより、カーボンナノチューブへのゲート動作の制御が可能であることを示した。本技術は、量子ビットの読み出し技術や量子ドットセルオートマトン、単電子トランジスタのインピーダンス変換等に有効な技術であると思われる。 |
| 抄録(英) | New possibility of carbon nanotube (CNT) quantum dots (QDs) have been shown by combining hem with a GaAs/AlGaAs 2-dimensional electron gas (2DEG). For the start, we have fabricated the quantum dot (single electron transistor) on the 2DEG substrate, and demonstrated the single electron transistor operation with the 2DEG used as a gate. Besides, it was demonstrated that the gating to the CNT-QD could be controlled by pinching off the quantum point contact that was located between the contact to the 2DEG and the CNT-QD. The technique may be useful for the readout of the quantum state of the CNT-QDs that may be used for quantum computing and quantum dot cellular automata, and the impedance transformation of the CNT single electron transistor by combining it with the HEMT (High Electron Mobility Transistor). |
| キーワード(和) | カーボンナノチューブ / 量子ドット / 単電子トランジスタ / ハイブリッドデバイス |
| キーワード(英) | carbon nanotube / quantum dot / single electron transistor / hybrid device |
| 資料番号 | ED2005-229,SDM2005-241 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/1/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs 2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Carbon nanotube quantum dots combined with a GaAs/AlGaAs 2-dimensional electron gas |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | 単電子トランジスタ / single electron transistor |
| キーワード(4)（和/英） | ハイブリッドデバイス / hybrid device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石橋 幸治 / Koji Ishibashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室:科学技術振興機構・戦略的創造研究 Advanced Device Laboratory, RIKEN:CREST, Japan Science and Technology (JST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 塚本 竹雄 / Takeo Tsukamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室:東京工業大学大学院総合理工学研究科 Advanced Device Laboratory, RIKEN:Department of Information Processing, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森山 悟士 / Satoshi Moriyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室 Advanced Device Laboratory, RIKEN |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内田 剛生 / Takeo Uchida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室:東京工業大学大学院総合理工学研究科 Advanced Device Laboratory, RIKEN:Department of Information Processing, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山口 智弘 / Tomoriho Yamaguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室 Advanced Device Laboratory, RIKEN |
| 発表年月日 | 2006-01-26 |
| 資料番号 | ED2005-229,SDM2005-241 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 549 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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