| 講演名 | 2006-01-18 InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 黒川 愛里, 金 智, 小野 洋, 内田 和男, 野崎 眞次, 森崎 弘, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | エミッタサイズの異なるInGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBTs)をウェットエッチングプロセスのみで作製し、電気的特性に与える表面再結合の影響を調査した。比較のために、エミッタ端からベースへ横方向に拡散する電子の再結合の抑制を狙い、露出した外部ベース表面に硫黄パッシベーション及びInGaP層を用いたレッジパッシベーションを行った。その結果、InGaPレッジパッシベーションを行ったHBT'sでは、高電流利得、低表面再結合電流密度が得られた。さらに、電気的ストレス印加時に生じるエミッタ-ベース界面の欠陥を抑制し、ストレスに対する安定性を示した。 |
| 抄録(英) | InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBT's) with various sizes of the emitter were fabricated only using the wet etching process, and the effects of surface passivation on the dc characteristics of the HBT's were studied. The passivation suppresses the surface recombination in the extrinsic base region and the emitter size effect. Although the sulfur passivation is effective, the InGaP ledge passivation is most effective to obtain a high current gain and low surface recombination current. The InGaP ledge passivation also improves the reliability of the HBT's after the current stress. |
| キーワード(和) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT) / InGaP/GaAs / 表面再結合 / エミッタサイズ効果 / ストレステスト |
| キーワード(英) | Heterojunction bipolar transistors(HBT's) / InGaP/GaAs / surface Recombination / Emitter size effect / stress test |
| 資料番号 | ED2005-198,MW2005-152 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/1/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of surface recombination on dc characteristics of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT) / Heterojunction bipolar transistors(HBT's) |
| キーワード(2)（和/英） | InGaP/GaAs / InGaP/GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 表面再結合 / surface Recombination |
| キーワード(4)（和/英） | エミッタサイズ効果 / Emitter size effect |
| キーワード(5)（和/英） | ストレステスト / stress test |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒川 愛里 / Airi KUROKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 University of Electro-Communications |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金 智 / Zhi JIN |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 University of Electro-Communications |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小野 洋 / Hiroshi ONO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 University of Electro-Communications |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内田 和男 / Kazuo Uchida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 University of Electro-Communications |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 野崎 眞次 / Shinji NOZAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 University of Electro-Communications |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 森崎 弘 / Hiroshi MORISAKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 University of Electro-Communications |
| 発表年月日 | 2006-01-18 |
| 資料番号 | ED2005-198,MW2005-152 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |