| 講演名 | 2006-01-18 ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 町田 信也, 五十嵐 満彦, 山田 朋宏, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
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| 抄録(和) | 走行領域を全て真性半導体とし、ゲート金属により電流制御を行うホットエレクトロントランジスタの高速特性解析を、フルバンドモンテカルロシミュレーションにより行った。InPエミッタとInGaAs走行層の伝導帯不連続により走行層のГ-L谷間エネルギ以下でホットエレクトロンを放出することで、バリスティック走行を確認した。微細エミッタ幅20nm、走行長70nmのデバイス構造で1THzオーバーの電流遮断周波数が得られることを、電荷制御解析、過渡解析により確認した。 |
| 抄録(英) | We performed full-band Monte Carlo simulations for the hot-electron transistor with the transit region made of the intrinsic semiconductor and whose current was controlled by the gate bias. By producing hot electrons whose kinetic energies were smaller than the energy separation between Г and L valleys, ballistic transport of those electrons was confirmed. Cutoff frequency over 1THz was confirmed in the device with an emitter width of 20nm and a transit region length of 70nm by the charge control and transient analysis |
| キーワード(和) | ホットエレクトロントランジスタ / バリスティック伝導 / テラヘルツ / ゲート制御 |
| キーワード(英) | Hot Electron Transistor / Ballistic Transport / THz / Gate Control |
| 資料番号 | ED2005-197,MW2005-151 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/1/11(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Prediction of High-Frequency Characteristics for Hot-Electron Transistors Controlled by Gate Bias |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ホットエレクトロントランジスタ / Hot Electron Transistor |
| キーワード(2)（和/英） | バリスティック伝導 / Ballistic Transport |
| キーワード(3)（和/英） | テラヘルツ / THz |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート制御 / Gate Control |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 町田 信也 / Nobuya MACHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構CREST Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 満彦 / Mitsuhiko IGARASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 朋宏 / Tomohiro YAMADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki MIYAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構CREST Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / Kazuhito FURUYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構CREST Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 発表年月日 | 2006-01-18 |
| 資料番号 | ED2005-197,MW2005-151 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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