| 講演名 | 2006-01-18 ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 鹿嶋 一生, 諏訪 輝, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
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| 抄録(和) | エミッタメサの側面に配置したゲート電極でトンネルバリアからホットエレクトロンを引き出し、その電子の走行層を真性半導体とすることで、散乱を抑制した高速動作が期待できる新しいホットエレクトロントランジスタが出来る可能性がある。幅25nmのエミッタを用いて、電子ビーム露光をエミッタとゲート形成、素子分離に使用することでゲート電極がエミッタを完全に囲むように形成したことで、明瞭な飽和特性が観測でき、電流利得と電圧利得が得られることを確認した。また、エミッタバリア幅を1.75nmまで薄くすることで約10kA/cm^2での動作と微分負性抵抗も確認された。 |
| 抄録(英) | The base layer of a conventional hot electron transistor was eliminated to minimize the scattering. Electron emission from the emitter was controlled by positively biased Schottky gate electrodes located both sides of the emitter mesa. Using electron beam lithography, emitters with effective width of 25nm and surrounded by gates were fabricated to obtain saturated I-V characteristics. By using 1.75nm-thick AlAs barrier, collector current density of 10kA/cm^2 and clear negative differential resistance (NDR) were observed. |
| キーワード(和) | ホットエレクトロントランジスタ / 電子ビーム露光 / 微分負性抵抗 |
| キーワード(英) | hot electron transistor / electron beam lithography / Negative differential resistance (NDR) |
| 資料番号 | ED2005-196,MW2005-150 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/1/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Increase of collector current in hot electron transistors controlled by gate bias |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ホットエレクトロントランジスタ / hot electron transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 電子ビーム露光 / electron beam lithography |
| キーワード(3)（和/英） | 微分負性抵抗 / Negative differential resistance (NDR) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鹿嶋 一生 / Issei KASHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Physical Electron. Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 諏訪 輝 / Akira SUWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Physical Electron. Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki MIYAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構CREST Physical Electron. Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / Kazuhito FURUYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構CREST Physical Electron. Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2006-01-18 |
| 資料番号 | ED2005-196,MW2005-150 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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