| 講演名 | 2006-01-18 フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 吉田 孝, 深澤 義道, 出口 忠義, 川口 清, 杉山 隆啓, 中川 敦, |
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| 抄録(和) | フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCOを開発した。主な特性は電源電圧3.3V(消費電力1.9W)、室温において、発振出力13.5dBm、発振周波数76.4GHz、効率1.2%である。更に位相雑音は-107dBc/Hz(1MHz離調)が得られた。この値は我々の知る限りでは、報告されている同周波数帯のMMIC発振器に比較して10dB以上良好な位相雑音値である。変調幅は変調電圧0～10Vにおいて210MHzが得られ、周波数の直線性は2.4%以下で出力変動は0.8dB以下の良好な値が得られた。ガンVCOは、小型化・低コスト化に適した構造であり、車載レーダフロントエンドモジュールへの応用に十分なRFパフォーマンスが期待できる。 |
| 抄録(英) | A low-phase-noise76-GHz planar Gunn VCO using flip-chip bonding technology has been developed. The power consumption is 1.9W at a bias voltage of 3.3V. The measured output power is 13.5dBm at 76.4GHz, with a DC-RF conversion efficiency of 1.2%. The Gunn oscillator achieves a significantly low phase noise of -107 dBc/Hz at a 1-MHz offset frequency, because of its fundamental-mode operation. To our knowledge, this is the lowest reported phase noise in this frequency range. A tuning range of 210MHz is obtained at a center frequency of 76.5GHz in the tuning voltage range from 0 to 10V. The output power averages 13.9dBm and exhibits variation of less than 0.8dB. The device exhibits excellent modulation linearity of less than 2.4%. Overall, this Gunn VCO exhibits excellent phase-noise performance, high output power, and good modulation linearity. This device demonstrates sufficient RF performance for use in automotive radar systems. The adoption of flip-chip bonding technology is expected to enable low-cost mass production and good reproducibility. |
| キーワード(和) | フリップチップ / 低位相雑音 / ガンダイオード / VCO / 車載レーダ |
| キーワード(英) | Flip-chip / Low-phase-noise / Gunn diode / VCO / Automotive radar |
| 資料番号 | ED2005-192,MW2005-146 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/1/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Low-Phase-Noise 76-GHz Planar Gunn VCO Using Flip-Chip Bonding Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フリップチップ / Flip-chip |
| キーワード(2)（和/英） | 低位相雑音 / Low-phase-noise |
| キーワード(3)（和/英） | ガンダイオード / Gunn diode |
| キーワード(4)（和/英） | VCO / VCO |
| キーワード(5)（和/英） | 車載レーダ / Automotive radar |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 孝 / Takashi YOSHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 深澤 義道 / Yoshimichi FUKASAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 出口 忠義 / Tadayoshi DEGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川口 清 / Kiyoshi KAWAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 杉山 隆啓 / Takahiro SUGIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中川 敦 / Atsushi NAKAGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2006-01-18 |
| 資料番号 | ED2005-192,MW2005-146 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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