| 講演名 | 2006-01-27 自己平坦化法で作製したBi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックのリターン電流の温度特性(電子デバイス, 一般) 岡上 久美, ファチャムルン R., 鈴木 光夫, 余川 奈保美, 末松 久幸, 島影 尚, 王 鎮, 濱崎 勝義, |
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| 抄録(和) | 我々は, 最近Bi-2212スタックの新しい作製方法である自己平坦化法を開発した. この方法は, Josephson接合窓周辺のBi-2212単結晶を希塩酸(≤0.2%)によって改質させた絶縁層を平坦化層として用いている. Bi-2212スタックのリターン電流(I_r)の温度依存性を測定した結果, 40K以上では温度上昇とともにI_rは増加し, 極大値をとった後, 臨界電流と一致(ヒステリシス消滅)することがわかった. I_r-T特性をJosephson接合の現象論モデルであるRCSJモデルを基礎としたZappeモデルを用いて解析して実験結果と比較した結果, I_r-T特性はc軸抵抗に強く依存していることがわかった. |
| 抄録(英) | We investigated the temperature dependence of the critical current (I_c) and return current (I_r) of stacked Bi-2212 intrinsic Josephson junctions fabricated by self-planarizing process. In atomic microscopy (AFM), no step was observed at the edge of the junction window for the sample soaking it into the dilute hydrochloric (≤0.2 %) acid for 5s. The I_c-T characteristics of the stacks stay well above Ambegaokar-Baratoff (AB) theory at higher temperatures than 40 K. On the other hand, the I_r-T characteristics gradually increase with increasing temperature. The observed I_r-T characteristics were explained by Zappe theory based on the simple RCSJ model with temperature dependent c-axis resistivity of the stacks. |
| キーワード(和) | Bi-2212スタック / 固有ジョセフソン接合 / 自己平坦化法 |
| キーワード(英) | Bi-2212 stack / intrinsic Josephson junction / self-planarizing process |
| 資料番号 | SCE2005-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2006/1/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 自己平坦化法で作製したBi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックのリターン電流の温度特性(電子デバイス, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature dependencies of return currents in Bi_2Sr_2CaCu_2O_x stacks fabricated by self-planarizing process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Bi-2212スタック / Bi-2212 stack |
| キーワード(2)（和/英） | 固有ジョセフソン接合 / intrinsic Josephson junction |
| キーワード(3)（和/英） | 自己平坦化法 / self-planarizing process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡上 久美 / K. Okanoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ファチャムルン R. / R. Fachamroon |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 光夫 / M. Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 余川 奈保美 / N. Yokawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 末松 久幸 / H. Suematsu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 島影 尚 / H. Shimakage |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 関西先端研究センター KARC, National Institute of Information and Communications Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 王 鎮 / Z. Wang |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 関西先端研究センター KARC, National Institute of Information and Communications Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 濱崎 勝義 / K. Hamasaki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2006-01-27 |
| 資料番号 | SCE2005-25 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 575 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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