| 講演名 | 2005/9/19 facial体、meridional体含有Ir(ppy)_3薄膜の光物性(有機材料・一般) 井出 典孝, 松末 哲征, 小林 隆史, 内藤 裕義, |
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| 抄録(和) | facial体とmeridional体を含有するtris (2-phenylpyridine) iridium [Ir(ppy)_3]薄膜のPhotoluminescence (PL)特性について考察した。facial体とmeridional体を含有した薄膜はfacial体のみの薄膜と比較するとPLスペクトルが長波長シフトし、ブロードになる。facial-Ir(ppy)_3 [fac-Ir(ppy)_3]とmeridional-Ir(ppy)_3 [mer-Ir(ppy)_3]を4, 4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl(CBP)にドープした薄膜の発光スペクトル、PL量子効率からmer-Ir(ppy)_3をCBPにドープした薄膜のPL量子効率を30%と見積もった。mer-Ir(ppy)_3をCBPにドープした薄膜のPL量子効率はfac-Ir(ppy)_3をCBPにドープした薄膜のPL量子効率と比較し非常に低くなることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | Photoluminescence (PL) properties of tris (2-phenylpyridine) iridium [Ir(ppy)_3] thin films which contain both facial-and meridional-Ir(ppy)_3 have been investigated. It is found that the thin films shows red-shifted and broader PL spectra in comparison with those of the facial-Ir(ppy)_3 [fac-Ir(ppy)_3] thin films. PL quantum efficiency of the meridional-Ir(ppy)_3 [mer-Ir(ppy)_3] doped 4, 4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP) thin films is estimated to be 30% from PL spectra and PL quantum efficiencies of Ir(ppy)_3 [the mixture of fac-Ir(ppy)_3 and mer-Ir(ppy)_3] doped CBP thin films. The PL quantum efficiency is much lower than that of fac-Ir(ppy)_3 doped CBP thin films. |
| キーワード(和) | イリジウム錯体 / 燐光 / PL量子効率 |
| キーワード(英) | iridium complexes / phosphorescence / facial isomer / meridional isomer / photoluminescence quantum efficiency |
| 資料番号 | OME2005-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2005/9/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | facial体、meridional体含有Ir(ppy)_3薄膜の光物性(有機材料・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoluminescence properties of facial- and meridional-Ir(ppy)_3 thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イリジウム錯体 / iridium complexes |
| キーワード(2)（和/英） | 燐光 / phosphorescence |
| キーワード(3)（和/英） | PL量子効率 / facial isomer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井出 典孝 / N. Ide |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学大学院工学研究科電子物理工学分野 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松末 哲征 / N. Matsusue |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学大学院工学研究科電子物理工学分野 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 隆史 / T. Kobayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学大学院工学研究科電子物理工学分野 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内藤 裕義 / H. Naito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学大学院工学研究科電子物理工学分野 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 発表年月日 | 2005/9/19 |
| 資料番号 | OME2005-55 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 305 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |