| 講演名 | 2002/6/24 完全自己整合型ダブルゲート poly-Si TFT 牧平 憲治, 中河 孝介, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 自己整合プロセスを用いて埋め込み型の下部ゲートを持つダブルゲートTFTを作製した。基板に石英を用い、下部ゲートマスクとし、裏面から露光を行うことで上部ゲートのフォトリソグラフィーを行った。この作製プロセスにより下部ゲート、素子分離、コンタクト、アルミ配線の4枚のフォトマスクでダブルゲートTFTを作製できた。ダブルゲート動作時においてシングルゲート動作時の約3倍の電流駆動力が得られた。活性層の薄膜化によっても電流駆動力が向上することがわかった。また、シングルゲート動作時に他方のゲートバイアスを変化させることでしきい値を制御できた。ダブルゲート動作によってしきい値の均一性が向上することがわかった。 |
| 抄録(英) | Double-gate TFTs having a buried bottom-gate were fabricated using a new self-aligned process. The photolithography for the top-gate was performed using the bottom-gate as the photo-mask and by exposing from the backside of the quartz wafer. We have been able to fabricate perfectly self-aligned double-gate TFTs using 4 photo-masks; bottom-gate, field isolation, contact hole and metalization. Drain current of about 3-fold the drain current of single-gate operation was obtained by double-gate operation. Current drive was also increased by thinning TFT active layer. The threshold voltage for the single-gate operation was able to be varied by changing the bias of the other gate. Uniformity in threshold voltage was improved by double-gate operation. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / poly-Si TFT / ダブルゲート / 自己整合プロセス |
| キーワード(英) | poly-Si / thin film transistor / double gate / self aligned technology |
| 資料番号 | ED2002-156 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 完全自己整合型ダブルゲート poly-Si TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Double-Gate Poly-Si Thin-Film Transistors Fabricated Using Self-Aligned Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | poly-Si TFT / thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | ダブルゲート / double gate |
| キーワード(4)（和/英） | 自己整合プロセス / self aligned technology |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 牧平 憲治 / Kenji MAKIHIRA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中河 孝介 / Kousuke NAKAGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-156 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |