| 講演名 | 2002/6/24 Cu-Field Aided Lateral Crystallization (FALC) of Amorphous Silicon Films below 450℃ , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | By adopting a novel concept of Cu-field aided lateral crystallization (FALC) process, possibility of the low temperature crystallization of amorphous silicon films was investigated. When an electric field was applied to the selectively Cu-deposited (a-Si) film during the thermal annealing below 450℃, the lateral crystallization proceeded toward Cu-free region from negative electrode side to positive electrode side. Microstructures of the crystallized area were investigated and we confirmed that 800Å thick a-Si film was completely crystallized by Cu-FALC process below 450℃. Furthermore, we could successfully crystallize the a-Si at the temperature as low as 350℃ with an extremely fast crystallization velocity of 12 μm/h by Cu-FALC process. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Cu-field aided lateral crystallization (Cu-FALC) / Poly-Si / metal catalyst / crystallization mediator / low temperature crystallization |
| 資料番号 | ED2002-155 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cu-Field Aided Lateral Crystallization (FALC) of Amorphous Silicon Films below 450℃ |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Cu-field aided lateral crystallization (Cu-FALC) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Kyoung-Wan Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Ceramic Engineering, Hanyang University |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-155 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |