| 講演名 | 2002/6/24 エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和 河本 直哉, 阿部 寿, 松尾 直人, 田口 亮平, 納田 朋幸, 浜田 弘喜, |
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| 抄録(和) | 我々はSiO_2 substrate(SiO_2(100nm)/glass),SiN substrate(SiO_2(50nm)/SiN(50nm)/glass)及び石英基板上のエキシマ・レーザによる再結晶化多結晶シリコン(poly-Si)について応力緩和の観点から調べた。poly-Siの内部応力が基板に依存することについて光学的手法を用いることで始めて明らかにした。内部応力を緩和するために、石英基板上のpoly-Siではディスク状結晶が形成され、一方、SiO_2基板上のpoly-Siでは二次元結晶成長が起きている。これらの現象をSi TOフォノンのラマンピークシフトおよび半値全幅のレーザエネルギ密度ならびにショット数との関係から議論する。水素を考慮した固相成長モデルについても推論する。 |
| 抄録(英) | We investigated the characteristics of the polycrystalline-Si (poly-Si) film fabricated by excimer laser annealing (ELA) on the SiO_2 substrate (SiO_2 (100nm) / glass), SiN substrate(SiO_2 (50nm) / SiN(50nm) / glass) and quartz substrate from a viewpoint of the stress relaxation. It is clarified by optical method for the first time that the internal stress of the recrystallized poly-Si strongly depends on the substrate film structure. The disk-shaped grains are generated in the poly-Si film on the quartz substrate, on the other hand, the secandary crystal grain growth occurs in the poly-Si on the SiO_2 substrate to relax the internal stress of it. These phenomena are discussed by taking into consideration of the relationship between the Raman peak shift or the full width of half maximum (FWHM) of TO phonon peak and the energy density or the shot number. The solid phase crystallization (SPC) model considering the hydrogen molecules is also inferred. |
| キーワード(和) | エキシマ・レーザ・アニーリング(ELA) / poly-Si / 応力緩和 / 2次元成長 / ディスク状結晶粒 / 水素 |
| キーワード(英) | excimer laser annealing (ELA) / poly-Si / stress relaxation / secandary grain growth / disk-shaped grain / hydrogen |
| 資料番号 | ED2002-154 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress Relaxation in Recrystallized Polycrystalline Si Film Formed by Excimer Laser Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エキシマ・レーザ・アニーリング(ELA) / excimer laser annealing (ELA) |
| キーワード(2)（和/英） | poly-Si / poly-Si |
| キーワード(3)（和/英） | 応力緩和 / stress relaxation |
| キーワード(4)（和/英） | 2次元成長 / secandary grain growth |
| キーワード(5)（和/英） | ディスク状結晶粒 / disk-shaped grain |
| キーワード(6)（和/英） | 水素 / hydrogen |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河本 直哉 / Nanya KAWAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Dept. Electric. & Electron. Eng., Yamaguchi Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 阿部 寿 / Hisashi ABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto MATSUO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Dept. Electric. & Electron. Eng., Yamaguchi Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田口 亮平 / Ryouhei TAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Dept. Electric. & Electron. Eng., Yamaguchi Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 納田 朋幸 / Tomoyuki NOUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘喜 / Hiroki HAMADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-154 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |