講演名 2002/6/24
Novel Device Transfer Technology by Backside Etching (DTTBE) for High Performance Poly-Si TFTs on Plastic Substrate
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抄録(和)
抄録(英) A novel method that makes it possible to transfer thin-film devices from Si wafers to glass or plastic substrate has been investigated. First, high performance poly-Si TFTs were fabricated on the Si wafer and then adhered to glass or plastic substrates. The remaining Si was removed delicately using wafer backside CMP and wet chemical etching. The transferred devices exhibit no electrical degradation or yield loss. Therefore, for high-quality display application on low-melting temperature substrates, the novel transfer technique is quite attractive because of no process temperature limitation and the fully compatibility with conventional CMOS technology.
キーワード(和)
キーワード(英) thin-film transistor / glass substrate / plastic substrate / CMP / wet etching
資料番号 ED2002-152
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2002/6/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Novel Device Transfer Technology by Backside Etching (DTTBE) for High Performance Poly-Si TFTs on Plastic Substrate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / thin-film transistor
第 1 著者 氏名(和/英) / Ching-Fa Yeh
第 1 著者 所属(和/英)
Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Cbiao-Tung University
発表年月日 2002/6/24
資料番号 ED2002-152
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 175
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日