| 講演名 | 2002/6/24 Cat-CVD装置を用いたULSI材料の表面窒化とエッチング 和泉 亮, 三木 翼, 松村 英樹, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 触媒CVD装置中の加熱タングステンにより生成したNH_3もしくはH_2分解種によるULSI材料の表面窒化,エッチングについて報告する.NH_3分解種によりSiO_2/Si(100)表面が300℃程度で窒化できることを明らかにした.SIMS測定から窒化層はSiO_2の最表面に位置していることを明らかにした.また,原子状水素により,高イオン注入(1x10^<16>cm^<-2>)したフォトレジストの除去にも適応できることを明らかにした. |
| 抄録(英) | In this paper we reports surface nitridation and etching of ULSI related materials using NH_3 or H_2 decomposed species generated by heated tungsten catalyzer in a Cat-CVD system. The surface of SiO_2/Si(100) is nitrided at temperature as low as 200 ℃ using decomposed NH_3 species. SIMS measurements revealed that nitride layer is located at the top-surface of SiO_2. Heavy-doped, as high as 1x10^<16> cm^<-2>, ion-implanted photoresist removal is realized using atomic hydrogen. |
| キーワード(和) | 表面窒化 / フォトレジスト除去 / Cat-CVD / 原子状水素 |
| キーワード(英) | surface nitridation / photoresist removal / Cat-CVD / atomic hydrogen |
| 資料番号 | ED2002-150 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Cat-CVD装置を用いたULSI材料の表面窒化とエッチング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface nitridation and etching of ULSI related materials using a Cat-CVD system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面窒化 / surface nitridation |
| キーワード(2)（和/英） | フォトレジスト除去 / photoresist removal |
| キーワード(3)（和/英） | Cat-CVD / Cat-CVD |
| キーワード(4)（和/英） | 原子状水素 / atomic hydrogen |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 和泉 亮 / Akira Izumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三木 翼 / Tsubasa Miki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松村 英樹 / Hideki Matsumura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology) |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-150 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |